| 講演名 | 2004/5/6 ZnGeN_2エピタキシャル薄膜の光学的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料)) 重久 慶, 三崎 貴生, 若原 昭浩, 岡田 浩, 吉田 明, |
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| 抄録(和) | ZnGeN_2の属するII-IV-V_2化合物半導体は,一般的に大きな非線形光学定数をもち,ワイドバンドギャップの直接遷移型の化合物が多数見出されている.またII-IV-V_2化合物はGaNやAlNのIII族窒化物との格子不整合が小さいことからも,III族窒化物との組み合わせによる新しいデバイス実現の可能性をもっている.ZnGeN_3は,リモートプラズマ励起有機金属気相エピタキシャル成長(remote-plasma enhanced metalorganic vapor phase epitaxy : RPE-MOPVE)法を用いてサファイア基板(1012)面上に直接成長を行った.X線回折(x-ray diffraction:XRD),反射高速電子線回折(Reflection high-energy electron diffraction:RHEED)により単結晶ZnGeN_2の成長を確認した.ZnGeN_2の光学的特性をフォトルミネッセンス(Photoluminescence:PL)測定,反射率(Reflectance)透過率(Transmittance)測定によって評価した.その結果, ZnGeN_2は室温ではバンドギャップエネルギーは約3.leV、PLスペクトルのバンド端近傍の2つのピークはそれぞれ束縛励起子(biding exciton:BE)による発光、自由励起子(freeexciton:FE)による発光であることが分かり、その励起子束縛エネルギーは,それぞれ29.8meV、32.3meVとなった。 |
| 抄録(英) | II-IV-V_2 compounds have a large optical non-linearity, and they are promising materials. ZnGeN_2 is one of the II-IV-V_2 compounds, and expected to be wide band gap and large difference of refractive index between ZnGeN_2 and GaN from theoretical calculation. Moreover, ZnGeN_2 has small lattice mismatch to GaN for a-axis. However, optical properties of ZnGeN_2 are not clear. In this study, optical properties of single crystalline ZnGeN_2 were investigated. The ZnGeN_2 film was grown on (101^^-2) plane sapphire substrate directly by using remote-plasma enhanced metalorganic vapor phase epitaxy (RPE-MOVPE). The single crystalline ZnGeN_2 was verified by X-ray diffraction (XRD) and Reflection high-energy electron diffraction (RHEED). Considering the results of absorption and photoluminescence spectrum, band gap energy of ZnGeN_2 was 3.3eV at room temperature, and two peak of near ban edge were binding exciton (BE) and free exciton (FE). Each exciton binding energy was 29.8meV and 32.3meV. |
| キーワード(和) | ZnGeN_2 / II-IV-V_2化合物半導体 / RPE-MOVPE / 光学的特性 / 束縛励起子 / 自由励起子 |
| キーワード(英) | II-IV-V_2 compounds / ZnGeN_2 / RPE-MOVPE / optical characteristics / binding exciton / free exciton |
| 資料番号 | ED2004-22,CPM2004-17,SDM2004-22 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2004/5/6(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ZnGeN_2エピタキシャル薄膜の光学的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Optical properties of ZnGeN_2 epitaxial layer |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ZnGeN_2 / II-IV-V_2 compounds |
| キーワード(2)（和/英） | II-IV-V_2化合物半導体 / ZnGeN_2 |
| キーワード(3)（和/英） | RPE-MOVPE / RPE-MOVPE |
| キーワード(4)（和/英） | 光学的特性 / optical characteristics |
| キーワード(5)（和/英） | 束縛励起子 / binding exciton |
| キーワード(6)（和/英） | 自由励起子 / free exciton |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 重久 慶 / Kei SHIGEHISA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 電気・電子工学系 Toyohashi University of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 三崎 貴生 / Takao MISAKI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 電気・電子工学系 Toyohashi University of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 若原 昭浩 / Akihiro WAKAHARA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 電気・電子工学系 Toyohashi University of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 岡田 浩 / Hiroshi OKADA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 電気・電子工学系 Toyohashi University of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 吉田 明 / Akira YOSHIDA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 電気・電子工学系 Toyohashi University of Technology |
| 発表年月日 | 2004/5/6 |
| 資料番号 | ED2004-22,CPM2004-17,SDM2004-22 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 41 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |