| 講演名 | 2004/5/6 GaAs基板上GaAs層のMOCVD法による横方向成長(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料)) 岩瀬 隆幸, 福家 俊郎, 高野 泰, |
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| 抄録(和) | 減圧MOCVD装置を用いて,パターン化したSiO2膜を付けた(100)GaAs基板上にGaAs層を横方向成長させた。横方向成長に用いるための基板パターン化はフォトリソグラフィーにより行った。[110]に平行なストライプ方向よりも、[110]から[1-10]へ約20°傾けたストライプ方向の方が横方向成長量は増加した。AsH_3流量を減らす事により,縦方向への成長量が減少し、横方向への成長量が増加した。最も多い横方向成長量で1時間当たり10μmであり、通常の(100)GaAs基板の連続膜成長量である2.2μmと比べて4倍近い値が得られた.その時の横方向成長量/縦方向成長量は2.2であった。 |
| 抄録(英) | Epitaxial lateral overgrowth was carried out on SiO_2-patterned (100) GaAs substrates by low-pressure metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD). Substrates for epitaxial lateral overgrowth were prepared by photolithography. Lateral growth length was increased by using a stripe opening 20 degrees misoriented from [110] direction. Decreasing arsine flow rate decreased vertical growth length and increased lateral growth length. The maximum lateral growth length was 10μm, which was about 4 times GaAs layer growth thickness of 2.2μm on non-patterned (100) GaAs substrates. The ratio of lateral to vertical growth length was 2.2. |
| キーワード(和) | MOCVD / 横方向成長, / ガリウム枇素 |
| キーワード(英) | MOCVD / epitaxial lateral overgrowth / GaAs |
| 資料番号 | ED2004-21,CPM2004-16,SDM2004-21 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2004/5/6(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | GaAs基板上GaAs層のMOCVD法による横方向成長(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Lateral growth on (100) GaAs substrates by MOCVD |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOCVD / MOCVD |
| キーワード(2)（和/英） | 横方向成長, / epitaxial lateral overgrowth |
| キーワード(3)（和/英） | ガリウム枇素 / GaAs |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 岩瀬 隆幸 / Takayuki IWASE |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 静岡大学 工学部 電気・電子工学科 Department of Electronics, Faculty of Engineering, Shizuoka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 福家 俊郎 / Shunrou FUKE |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 静岡大学 工学部 電気・電子工学科 Department of Electronics, Faculty of Engineering, Shizuoka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 高野 泰 / Yasushi TAKANO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 静岡大学 工学部 電気・電子工学科 Department of Electronics, Faculty of Engineering, Shizuoka University |
| 発表年月日 | 2004/5/6 |
| 資料番号 | ED2004-21,CPM2004-16,SDM2004-21 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 41 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |