| 講演名 | 2004/5/6 MOVPE法によるSi基板上へのGaN/AlNピラミッド構造の作製(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料)) 本田 善央, 中村 剛, 山口 雅史, 澤木 宣彦, |
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| 抄録(和) | 我々はこれまでに、シリコン基板上へMOVPE選択成長によりGaN/AlN六角錐構造を作製してきた。しかしながら、形状の均一性について問題があり、これは中間層として用いたAlN成長核の不均一が原因であった。AlNの成長時間を変化させ、GaN/AlN六角錐構造の均一性を評価したところ、AlN中間層膜厚の薄いところでは比較的均一なGaN/AlN六角錐構造が得られた。中間層の薄膜化は同時に、Si-GaN界面での電流-電圧特性を改善させることが可能であり、フィールドエミッタデバイス等の応用に極めて有効であると考えられる。 |
| 抄録(英) | We had grown the GaN/AIN pyramid structure on (111)Si substrate by MOVPE. The non-uniformity of GaN shape was issue to solve. The reason of that was non-uniformity nucleation of AlN intermediate layer. We estimated the uniformity of GaN/AlN pyramid structure with changing the growth time of AlN intermediate layer. In the case of the thin AlN, we got uniform GaN/AlN structure. A thinner film of AlN contribute to the improvement of current-voltage characterization, we think it effective for the field emitting device. |
| キーワード(和) | GaN / 選択成長 / (111)Si / MOVPE / フィールドエミッタ |
| キーワード(英) | GaN / selectiveareagrowth / (111)Si / MOVPE / fieldemitter |
| 資料番号 | ED2004-18,CPM2004-13,SDM2004-18 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2004/5/6(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | MOVPE法によるSi基板上へのGaN/AlNピラミッド構造の作製(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth of GaN/AlN pyramid structure on Si substrate by MOVPE |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | 選択成長 / selectiveareagrowth |
| キーワード(3)（和/英） | (111)Si / (111)Si |
| キーワード(4)（和/英） | MOVPE / MOVPE |
| キーワード(5)（和/英） | フィールドエミッタ / fieldemitter |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 本田 善央 / Yoshio HONDA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科 Department of electronics engineering, Nagoya University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 中村 剛 / Tsuyoshi NAKAMURA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科 Department of electronics engineering, Nagoya University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 山口 雅史 / Masahito YAMAGUCHI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科 Department of electronics engineering, Nagoya University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 澤木 宣彦 / Nobuhiko SAWAKI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科 Department of electronics engineering, Nagoya University |
| 発表年月日 | 2004/5/6 |
| 資料番号 | ED2004-18,CPM2004-13,SDM2004-18 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 41 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |