講演名 2004/5/6
減圧OMVPE法によるErP/GaInP/GaAsヘテロ構造の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
小泉 淳, 大西 宏幸, 大渕 博宣, 鷹羽 一輝, 田渕 雅夫, 久野 尚志, 平田 智也, 山内 武志, 島田 里美, 人見 伸也, 山川 市朗, 中村 新男, 竹田 美和,
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抄録(和) 有機金属気相エピタキシー(OMVPE)法を用いてErPとの格子不整合度がInPよりも小さなGaAs(001)基板上にErP/GaInP/GaAsおよびGaInP/ErP/GaInP/GaAsヘテロ構造を作製し,蛍光EXAFS(Extended x-ray absorption fine structure)測定によりEr周辺局所構造を、ラザフォード後方散乱(RBS)測定により成長量を、原子間力顕微鏡(AFM)や走査電子顕微鏡(SEM)により表面モフォロジを評価した。その結果、GaInP上にNaCl構造のErPが形成され、InP上のErPと比較してより平坦に成長することがわかった。この材料系を用いて二重障壁共鳴トンネルダイオード構造を作製したところ、室温において負性微分抵抗が観測された。
抄録(英) ErP has been grown on GaInP lattice-matched to GaAs substrate, which has smaller lattice mismatch to ErP than InP, by low-pressure organometallic vapor phase epitaxy (LP-OMVPE). Extended x-ray absorption fine structure (EXAFS) and Rutherford back scattering (RBS) have been used to investigate local structures around Er atoms and ErP growth rate,respectively. Er atoms formed the rocksalt structure of ErP on GaInP. The morphological studies of ErP and GaInP capping layer on ErP have been characterized by atomic force microscope (AFM) and scanning electron microscope (SEM). The surface roughness of ErP on GaInP was smaller than that of ErP on InP. We have fabricated resonant tunneling structures having GaAs/GaInP/ErP/GaInP/GaAs heterostructures. In the current-voltage characteristics at room temperature, negative differential resistance was clearly observed.
キーワード(和) ErP / OMVPE / GaInP / EXAFS / RBS / AFM / SEM / RTD
キーワード(英) ErP / OMVPE / GaInP / EXAFS / RBS / AFM / SEM / RTD
資料番号 ED2004-16,CPM2004-11,SDM2004-16
発行日

研究会情報
研究会 CPM
開催期間 2004/5/6(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Component Parts and Materials (CPM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 減圧OMVPE法によるErP/GaInP/GaAsヘテロ構造の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
サブタイトル(和)
タイトル(英) ErP/GaInP/GaAs heterostructures grown by LP-OMVPE
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) ErP / ErP
キーワード(2)(和/英) OMVPE / OMVPE
キーワード(3)(和/英) GaInP / GaInP
キーワード(4)(和/英) EXAFS / EXAFS
キーワード(5)(和/英) RBS / RBS
キーワード(6)(和/英) AFM / AFM
キーワード(7)(和/英) SEM / SEM
キーワード(8)(和/英) RTD / RTD
第 1 著者 氏名(和/英) 小泉 淳 / Atsushi KOIZUMI
第 1 著者 所属(和/英) 名古屋大学エコトピア科学研究機構ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー
Venture Business Laboratory, EcoTopia Science Institute, Nagoya University
第 2 著者 氏名(和/英) 大西 宏幸 / Hiroyuki OHNISHI
第 2 著者 所属(和/英) 名古屋大学大学院工学研究科
Graduate School of Engineering, Nagoya University
第 3 著者 氏名(和/英) 大渕 博宣 / Hironori OFUCHI
第 3 著者 所属(和/英) 名古屋大学大学院工学研究科
Graduate School of Engineering, Nagoya University
第 4 著者 氏名(和/英) 鷹羽 一輝 / Kazuteru TAKABA
第 4 著者 所属(和/英) 名古屋大学大学院工学研究科
Graduate School of Engineering, Nagoya University
第 5 著者 氏名(和/英) 田渕 雅夫 / Masao TABUCHI
第 5 著者 所属(和/英) 名古屋大学エコトピア科学研究機構ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー
Venture Business Laboratory, EcoTopia Science Institute, Nagoya University
第 6 著者 氏名(和/英) 久野 尚志 / Takashi KUNO
第 6 著者 所属(和/英) 名古屋大学大学院工学研究科
Graduate School of Engineering, Nagoya University
第 7 著者 氏名(和/英) 平田 智也 / Tomonari HIRATA
第 7 著者 所属(和/英) 名古屋大学大学院工学研究科
Graduate School of Engineering, Nagoya University
第 8 著者 氏名(和/英) 山内 武志 / Takeshi YAMAUCHI
第 8 著者 所属(和/英) JST-CREST
JST-CREST
第 9 著者 氏名(和/英) 島田 里美 / Satomi SHIMADA
第 9 著者 所属(和/英) 名古屋大学大学院工学研究科
Graduate School of Engineering, Nagoya University
第 10 著者 氏名(和/英) 人見 伸也 / Shinya HITOMI
第 10 著者 所属(和/英) 名古屋大学大学院工学研究科
Graduate School of Engineering, Nagoya University
第 11 著者 氏名(和/英) 山川 市朗 / Ichirou YAMAKAWA
第 11 著者 所属(和/英) 名古屋大学大学院工学研究科
Graduate School of Engineering, Nagoya University
第 12 著者 氏名(和/英) 中村 新男 / Arao NAKAMURA
第 12 著者 所属(和/英) 名古屋大学大学院工学研究科:JST-CREST
Graduate School of Engineering, Nagoya University:JST-CREST
第 13 著者 氏名(和/英) 竹田 美和 / Yoshikazu TAKEDA
第 13 著者 所属(和/英) 名古屋大学エコトピア科学研究機構ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー:名古屋大学大学院工学研究科:JST-CREST
Venture Business Laboratory, EcoTopia Science Institute, Nagoya University:Graduate School of Engineering, Nagoya University:JST-CREST
発表年月日 2004/5/6
資料番号 ED2004-16,CPM2004-11,SDM2004-16
巻番号(vol) vol.104
号番号(no) 41
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日