| 講演名 | 2004/5/6 MOCVD法により低温成長させたGaAs基板上のInGaAs層およびInAs層(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料)) 梅澤 昌義, 小林 佳津, 高野 泰, 福家 俊郎, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | MOCVD法を用いてGaAs基板上にIn_<0.5>Ga_<0.5>As層の低温成長を行った。成長温度は通常600℃付近で行われるが,本研究ではそれより低温の430℃、400℃、370℃で行った。その結果、400℃で成長させた時10^6[/cm^2]オーダーの低い貫通転位密度が得られた.さらに成長温度400℃で高In組成InGaAs,InAs成長を行った。その結果、鏡面が得られた。また、その時の貫通転位密度は～2×10^7[/cm^2]であった。 |
| 抄録(英) | Low-temperature growth of an In_<0.5>Ga_<0.5>As layer was performed on GaAs substrates using metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) method. While MOCVD growth was usually performed around 600℃, layer growth was conducted at low temperatures of 370, 400 and 430℃ in this research. A low threading dislocation density of the order of 10^6cm^<-2> was obtained in a sample grown at 400℃. InGaAs with high In composition and InAs growth were also performed at 400℃. For the above layers , a mirror-like surface was obtained. The threading dislocation density in the layers was as low as ～2×10^7cm^<-2>. |
| キーワード(和) | InGaAs / InAs / MOCVD / 低温成長 / 貫通転位密度 |
| キーワード(英) | InGaAs / InAs / Metal-organic chemical vapor deposition / low temperature growth / , threading dislocation density |
| 資料番号 | ED2004-15,CPM2004-10,SDM2004-15 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
|---|---|
| 開催期間 | 2004/5/6(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | MOCVD法により低温成長させたGaAs基板上のInGaAs層およびInAs層(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | InGaAs and InAs layers on GaAs substrates grown at low temperature by MOCVD |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InGaAs / InGaAs |
| キーワード(2)（和/英） | InAs / InAs |
| キーワード(3)（和/英） | MOCVD / Metal-organic chemical vapor deposition |
| キーワード(4)（和/英） | 低温成長 / low temperature growth |
| キーワード(5)（和/英） | 貫通転位密度 / , threading dislocation density |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 梅澤 昌義 / Masayoshi Umezawa |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 静岡大学大学院 Faculty of Engineering, Shizuoka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 小林 佳津 / Kazu Kobayashi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 静岡大学大学院 Faculty of Engineering, Shizuoka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 高野 泰 / Yasushi Takano |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 静岡大学大学院 Faculty of Engineering, Shizuoka University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 福家 俊郎 / Syunrou Fuke |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 静岡大学大学院 Faculty of Engineering, Shizuoka University |
| 発表年月日 | 2004/5/6 |
| 資料番号 | ED2004-15,CPM2004-10,SDM2004-15 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 41 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |