| 講演名 | 2004/8/19 GaAsNSe混晶を用いた長波長広帯域発光ダイオードの作製(光・電子デバイス実装、及びデバイス技術,一般) 植杉 克弘, 末宗 幾夫, |
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| 抄録(和) | GaAsNSe混晶半導体を用いて光通信帯で広い発光スペクトル幅を持つダイオードの開発を行った。GaAs(001)基板上にGaAsNSe/GaAs超格子を有機金属分子線エピタキシー法により成長した。GaAsNSe混晶はSeが高濃度ドーピングされることにより非発光再結合中心の寄与が減少するため, 1.3～1.6μm波長帯域で明るいPL発光が観察された。GaAsNSe/GaAs超格子に生じる歪みをGaAsN/GaAsSb超格子と組み合わせて補償することによりPL発光強度の温度依存性は大きく改善できた。 GaAsNSe/GaAs 超格子を発光層として作製したダイオードから,80Kであるが電流注入により中心波長1.3μmで広い発光スペクトルを観察し,この材料は光ファイバ通信帯域をカバーできる発光ダイオード材料として有望であることを確認した。 |
| 抄録(英) | Long-wavelength light emitting diodes for optical-fiber communications using GaAsNSe alloy semiconductor were studied. GaAsNSe/GaAs superlattices (SLs) were grown on GaAs(00l) substrates by metalorganic molecular-beam epitaxy. Bright photoluminescence emission around 1.3-1.6 μm-wavelength regions was observed from these SLs, which suggests that the contribution of nonradiative recombinations in GaAsNSe layers was reduced by heavy Se doping. The photoluminescence efficiency was drastically improved by combining GaAsN/GaAsSb SLs with the GaAsNSe/GaAs SLs to reduce the strain accumulation in the layers. Electro luminescence around 1.3 μm with broad emission spectrum from diodes based on the GaAsNSe/GaAs SLs was observed at 80 K. These results indicate that the GaAsNSe-based diodes are a possible candidate for broad-band light sources which cover the whole optical-fiber communication bands |
| キーワード(和) | 発光ダイオード / 光通信 / GaAs / III-V-N混晶 / GaAsNSe / 超格子 |
| キーワード(英) | light emitting diode / optical-fiber communication / GaAs / III-V-N alloy / GaAsNSe / superlattice |
| 資料番号 | EMD2004-39,CPM2004-65,OPE2004-122,LQE2004-37 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2004/8/19(から1日開催) |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | GaAsNSe混晶を用いた長波長広帯域発光ダイオードの作製(光・電子デバイス実装、及びデバイス技術,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of long-wavelength light emitting diodes with wide-emission |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 発光ダイオード / light emitting diode |
| キーワード(2)（和/英） | 光通信 / optical-fiber communication |
| キーワード(3)（和/英） | GaAs / GaAs |
| キーワード(4)（和/英） | III-V-N混晶 / III-V-N alloy |
| キーワード(5)（和/英） | GaAsNSe / GaAsNSe |
| キーワード(6)（和/英） | 超格子 / superlattice |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 植杉 克弘 / Katsuhiro UESUGI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北海道大学電子科学研究所 Research Institute for Electronic Science, Hokkaido University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 末宗 幾夫 / Ikuo SUEMUNE |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北海道大学電子科学研究所 Research Institute for Electronic Science, Hokkaido University |
| 発表年月日 | 2004/8/19 |
| 資料番号 | EMD2004-39,CPM2004-65,OPE2004-122,LQE2004-37 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 265 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |