| 講演名 | 2003/5/9 InP(001),(111)A,(111)B基板上へのErP/InPおよびInP/ErP/InPヘテロ構造の作製とその表面観察(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料)) 平田 智也, 茜 俊光, 神野 真吾, 久野 尚志, 藤原 康文, 中村 新男, 竹田 美和, |
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| 抄録(和) | 全有機金属気相エピタキシー(OMVPE)法を用いてInP(001)、(111)A、(111)B基板上にErP/InP、InP/ErP/InPヘテロ構造を作製し、原子間力顕微鏡(AFM)および走査電子顕微鏡(SEM)により表面モホロジーを評価した。ErPはいずれも島状に成長し、そのサイズは成長温度上昇に伴い大きくなった。 ErP上のlnPキャップ層の成長では、lnPホモ成長の最適条件を用いた場合、いずれの面方位においてもInPは島状に成長し、ErPを完全に被覆することができなかった。 InP(001)、(111)B基板においては、成長温度を降下させることによってInP平坦島同士が結合し、ErPを完全被覆することができた。一方、InP(111)A基板では成長温度を低下させても、全面被覆をさせることができなかった。 XRD測定より、InPバッファ層に双晶が存在し、キャップ層成長に影響を与えていることが明らかになった。 |
| 抄録(英) | ErP has been grown on InP(001), (111)A, and (111)B substrates by organometallic vapor phase epitaxy (OMVPE). Atomic force microscope (AFM) has been used to investigate the morphology of ErP. On all the substrates, ErP is grown in island structure. Height and width of ErP depended on growth conditions. InP capping layer has been grown on ErP and the morphological change has been characterized by scanning electron microscope (SEM) and AFM. Use of optimum growth temperature for InP buffer layers results in island growth of InP. On (001) and (111)B substrates, the flat islands coalescence each other and become a complete layer by decreasing the growth temperature. On the other hand, the morphology of the capping layer on ErP/InP(111)A shows limited improvement with decreasing in growth temperature. X-ray diffraction (XRD) measurements revealed existence of twins in the buffer layer, leading to the poor growth of the InP capping layer. |
| キーワード(和) | OMVPE / ErP / SEM / AFM |
| キーワード(英) | OMVPE / ErP / AFM / SEM |
| 資料番号 | ED2003-41,CPM2003-40,SDM2003-41 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2003/5/9(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | InP(001),(111)A,(111)B基板上へのErP/InPおよびInP/ErP/InPヘテロ構造の作製とその表面観察(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth and surface morphology of ErP/InP and InP/ErP/InP heterostructures on InP(001), (111)A, and (111)B |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | OMVPE / OMVPE |
| キーワード(2)（和/英） | ErP / ErP |
| キーワード(3)（和/英） | SEM / AFM |
| キーワード(4)（和/英） | AFM / SEM |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 平田 智也 / Tomonari Hirata |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Nagoya University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 茜 俊光 / Toshimitu Akane |
| 第 2 著者 所属（和/英） | CREST-JST Core Research for Evolutional Science and Technology, Japan Science and Technology Coporation (CREST-JST) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 神野 真吾 / Kuno Takashi / |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Nagoya University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 久野 尚志 / Yasuhumi Fujiwara |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Nagoya University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 藤原 康文 / Arao Nakamura |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Nagoya University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 中村 新男 / Yoshikazu Takeda |
| 第 6 著者 所属（和/英） | CREST-JST Core Research for Evolutional Science and Technology, Japan Science and Technology Coporation (CREST-JST) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 竹田 美和 |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Nagoya University |
| 発表年月日 | 2003/5/9 |
| 資料番号 | ED2003-41,CPM2003-40,SDM2003-41 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 49 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |