| 講演名 | 2003/5/9 低温分子線エピタキシャル法によるEr添加GaAs/AlGaAs DH構造の作製と発光ダイオードに関する研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料)) 井上 大那, 槇 英信, 森 敬洋, 小川 和男, 小泉 淳, 吉兼 豪勇, 田渕 雅夫, 藤原 康文, 竹田 美和, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | これまでに低温分子線エピタキシャル法により作製したEr添加GaAs(GaAs:Er)は1.5μm付近で発光強度が増大することをフォトルミネセンス(photoluminescence:PL)法により見いだしてきた。今回は低温(330℃)で成長したGaAs:Erを活性層とし、AlGaAs/GaAs:Er/AlGaAs DH構造を作製することでさらなる発光強度の増大を観測し、さらに電流注入により室温でGaAs:Erからの発光を得た。 |
| 抄録(英) | Er doped GaAs (GaAs:Er) was demonstrated to show stronger photoluminescence (PL) emission at around 1.5μm by low-temperature molecular-beam epitaxy (LT-MBE). In this study we have investigated that Er-related PL intensity was increased by AlGaAs/GaAs:Er/AlGaAs structure at a low temperature. We have also observed Er luminescence in GaAs by current injection at room temperature. |
| キーワード(和) | MBE法 / 希土類添加半導体 / Er / 低温成長 |
| キーワード(英) | MBE / rare-earth / GaAs / Er / low-temperature growth / LED |
| 資料番号 | ED2003-40,CPM2003-39,SDM2003-40 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
|---|---|
| 開催期間 | 2003/5/9(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 低温分子線エピタキシャル法によるEr添加GaAs/AlGaAs DH構造の作製と発光ダイオードに関する研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of Er-doped GaAs/AlGaAs DH structure and light emitting diode by low-temperature molecular-beam epitaxy |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | MBE法 / MBE |
| キーワード(2)（和/英） | 希土類添加半導体 / rare-earth |
| キーワード(3)（和/英） | Er / GaAs |
| キーワード(4)（和/英） | 低温成長 / Er |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 井上 大那 / Daina Inoue |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Nagoya University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 槇 英信 / Hidenobu Maki |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Nagoya University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 森 敬洋 / Takahiro Mori |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Nagoya University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 小川 和男 / Kazuo Ogawa |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Nagoya University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 小泉 淳 / Atsushi Koizumi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Nagoya University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 吉兼 豪勇 / Taketoshi Yoshikane |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Nagoya University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 田渕 雅夫 / Masao Tabuchi |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Nagoya University |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 藤原 康文 / Yasufumi Fujiwara |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Nagoya University |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 竹田 美和 / Yoshikazu Takeda |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Nagoya University |
| 発表年月日 | 2003/5/9 |
| 資料番号 | ED2003-40,CPM2003-39,SDM2003-40 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 49 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |