| 講演名 | 2003/5/8 高窒素組成GaAs_yP_<1-x-y>N_xおよびIn_zGa_<1-z>P_<1-x>N_xの低温成長と原子状水素照射による結晶性の向上(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料)) 善積 祐介, 百瀬 賢治, 内海 淳志, 古川 雄三, 米津 宏雄, |
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| 抄録(和) | 高窒素組成を有するIII-V-N混晶の高品質化を目的に、原子状水素照射下での低温成長を試みた。GaP_<1-x>N_x混晶の成長では、250℃の低温成長によって、9%の高窒素組成が得られた。 GaAs_yP_<1-x-y>N_x層およびIn_zGa_<1-z>P_<1-x>N_x層の成長では、350℃で成長することにより、7%の窒素組成を有する混晶が、構造的な結晶性の良い状態で得られた。また、原子状水素照射下の成長では二次元成長が維持され、原子状水素非照射で成長した場合に発生した多数の構造欠陥は消滅し、構造的な結晶性が著しく向上した。これらのことから、原子状水素照射下での低温成長が、高窒素組成を有するIII-V-N混晶の成長に対して有効であることがわかった。 |
| 抄録(英) | Low temperature growth under atomic hydrogen irradiation was applied to the growth of III-V-N alloys with high nitrogen composition. In a growth of GaP_<1-x>N_x, nitrogen composition of 9% was obtained at a growth temperature of 250℃. High crystallinity was obtained in the growth of GaAs_yP_<1-x-y>N_x and In_zGa_<1-z>P_<1-x>N_x layers with a nitrogen composition of 7%. A two-dimensional growth mode was maintained during the growth and the crystallinity of the layers was improved by atomic hydrogen irradiation. It was found that low temperature growth under atomic hydrogen irradiation is effective for obtaining III-V-N layers with high nitrogen composition. |
| キーワード(和) | 高窒素組成 / 原子状水素 / 低温成長 / III-V-N混晶 / InGaPN / GaAsPN |
| キーワード(英) | high nitrogen composition / atomic hydrogen / low temperature growth / III-V-N alloys / InGaPN / GaAsPN |
| 資料番号 | ED2003-27,CPM2003-26,SDM2003-27 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2003/5/8(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 高窒素組成GaAs_yP_<1-x-y>N_xおよびIn_zGa_<1-z>P_<1-x>N_xの低温成長と原子状水素照射による結晶性の向上(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Low temperature growth of GaAs_<1-x-y>P_yN_x and In_zGa_<1-z>P_<1-x>N_x layers with high nitrogen composition and improvement of crystallinity by atomic hydrogen irradiation |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 高窒素組成 / high nitrogen composition |
| キーワード(2)（和/英） | 原子状水素 / atomic hydrogen |
| キーワード(3)（和/英） | 低温成長 / low temperature growth |
| キーワード(4)（和/英） | III-V-N混晶 / III-V-N alloys |
| キーワード(5)（和/英） | InGaPN / InGaPN |
| キーワード(6)（和/英） | GaAsPN / GaAsPN |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 善積 祐介 / Yusuke Yoshizumi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学工学研究科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Toyohashi University of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 百瀬 賢治 / Kenji Momose |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学工学研究科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Toyohashi University of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 内海 淳志 / Atsushi Utsumi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学工学研究科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Toyohashi University of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 古川 雄三 / Yuzo Furukawa |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学工学研究科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Toyohashi University of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 米津 宏雄 / Hiroo Yonezu |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学工学研究科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Toyohashi University of Technology |
| 発表年月日 | 2003/5/8 |
| 資料番号 | ED2003-27,CPM2003-26,SDM2003-27 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 48 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |