| 講演名 | 2003/5/8 AlGaN/GaN 2DEG 構造におけるシート抵抗の熱的安定性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料)) 塩島 謙次, 重川 直輝, |
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| 抄録(和) | AlGaN/GaN 2次元電子ガス構造の熱的安定性を評価した。反射率測定によりAlGaN薄膜の膜厚を正確に求め、熱的安定性との相関を調べた。窒素雰囲気中で800℃までの熱処理を行った結果、結晶成長温度より低い熱処理温度でシート抵抗が増加する現象がみられた。更に、シート抵抗の増加はAlGaNの膜厚、結晶性に依存することが分かった。 AlGaN膜厚が薄い(200Å以下)試料でシート抵抗の増加が顕著であることから、熱処理中にAlGaN中のSiドナーが表面から不活性化、または補償されたことが原因と考えられる。 |
| 抄録(英) | An annealing study of an AlGaN/GaN two-dimentional electron gas structure was conducted in combination with precise AlGaN-thickness measurements by using reflectivity spectra. We found that the sheet resistance increases when annealing is performed below the growth temperature, and the increase depends on the AlGaN thickness and crystal quality. One possible explanation for the increase is that Si donors in low-quality AlGaN layers were passivated or compensated from the top surfaces upon annealing. |
| キーワード(和) | AlGaN / GaNヘテロ構造 / シート抵抗 / 熱的安定性 / 反射率 / AlGaN膜厚 |
| キーワード(英) | AlGaN / GaN heterostructure / Sheet resistance / Thermal stability / Reflectivity / AlGaN thickness |
| 資料番号 | ED2003-24,CPM2003-23,SDM2003-24 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2003/5/8(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | AlGaN/GaN 2DEG 構造におけるシート抵抗の熱的安定性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Thermal Stability of Sheet Resistance in AlGaN/GaN 2DEG Structure |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(2)（和/英） | GaNヘテロ構造 / GaN heterostructure |
| キーワード(3)（和/英） | シート抵抗 / Sheet resistance |
| キーワード(4)（和/英） | 熱的安定性 / Thermal stability |
| キーワード(5)（和/英） | 反射率 / Reflectivity |
| キーワード(6)（和/英） | AlGaN膜厚 / AlGaN thickness |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 塩島 謙次 / Kenji Shiojima |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 重川 直輝 / Naoteru Shigekawa |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories |
| 発表年月日 | 2003/5/8 |
| 資料番号 | ED2003-24,CPM2003-23,SDM2003-24 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 48 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |