| 講演名 | 2003/5/8 Si_3N_4ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MIS-HEMT(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料)) 落合 大, 大野 雄高, 岸本 茂, 前澤 宏一, 水谷 孝, |
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| 抄録(和) | Si_3N_4ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MIS構造HEMT(MIS-HEMT)の作製し良好な結果を得た。AlGaN/GaN MIS-HEMTはSi_3N_4ゲート絶縁膜無しのAlGaN/GaN HEMTに比べて、ゲートリーク電流が約3桁程度減少していた。また、低周波雑音においてはMIS-HEMTの方が通常のHEMTに比べて小さいという測定結果が得られた。更に、電流コラプスもMIS構造にする事で抑制できた。 |
| 抄録(英) | AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high-electron-mobility transistors (MIS-HEMTs) using Si_3N_4 film as a gate insulator have been successfully fabricated. The gate leakage current decreased by about three orders of magnitude compared to that of the conventional AlGaN/GaN HEMTs without the Si_3N_4 gate insulator. The low-frequency noise of the MIS-HEMTs was smaller than that of the conventional HEMTs. Current collapse has also been suppressed in the MIS-HEMTs. |
| キーワード(和) | AlGaN / GaN HEMT / MIS構造 / Si_3N_4ゲート絶縁膜 / ゲートリーク電流 / 低周波雑音 / 電流コラプス |
| キーワード(英) | AlGaN / GaN HEMT / MIS-HEMTs / Si_3N_4 gate insulator / gate leakage current / low-frequency noise / current collapse |
| 資料番号 | ED2003-23,CPM2003-22,SDM2003-23 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2003/5/8(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Si_3N_4ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MIS-HEMT(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | AlGaN/GaN heterostructure MIS-HEMTs with Si_3N_4 gate insulator |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(2)（和/英） | GaN HEMT / GaN HEMT |
| キーワード(3)（和/英） | MIS構造 / MIS-HEMTs |
| キーワード(4)（和/英） | Si_3N_4ゲート絶縁膜 / Si_3N_4 gate insulator |
| キーワード(5)（和/英） | ゲートリーク電流 / gate leakage current |
| キーワード(6)（和/英） | 低周波雑音 / low-frequency noise |
| キーワード(7)（和/英） | 電流コラプス / current collapse |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 落合 大 / Masaru Ochiai |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科 Department of Quantum Engineering, Nagoya University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 大野 雄高 / Yutaka Ohno |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科 Department of Quantum Engineering, Nagoya University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 岸本 茂 / Shigeru Kishimoto |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科 Department of Quantum Engineering, Nagoya University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 前澤 宏一 / Koichi Maezawa |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科 Department of Quantum Engineering, Nagoya University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 水谷 孝 / Takashi Mizutani |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科 Department of Quantum Engineering, Nagoya University |
| 発表年月日 | 2003/5/8 |
| 資料番号 | ED2003-23,CPM2003-22,SDM2003-23 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 48 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |