| 講演名 | 2003/5/8 高品質AlGaNのMOVPE成長(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料)) 川島 毅士, 宮崎 敦嗣, 飯田 一喜, 井村 将隆, 佐野 智昭, 岩谷 素顕, 上山 智, 天野 浩, 赤崎 勇, |
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| 抄録(和) | AlGaNを用いて紫外高効率発光を実現するためには結晶の低転の低減が必要であり、また取り出し効率向上のためにはバンドギャップの大きいAlGaNを用いることが必須である。本論文では紫外光を透過するAlGaNをテンプレートにして低転位成長を行った。表面CL像よりダークスポット密度は低転位部で5×10^6cm^<-2>程度であった。 |
| 抄録(英) | Growth of low dislocation density AlGaN is presented. Facet control and grooved underlayer was used. We grow AlGaN with facets on periodic grooves structure. Dark spot density is as low as 5×10^6cm^<-2> by CL mapping. |
| キーワード(和) | AlGaN / 低転位化 / 横方向成長 / 転位 |
| キーワード(英) | AlGaN / Low dislocation density / lateral epitaxy |
| 資料番号 | ED2003-20,CPM2003-19,SDM2003-20 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2003/5/8(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 高品質AlGaNのMOVPE成長(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | MOVPE growth of high quality AlGaN |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(2)（和/英） | 低転位化 / Low dislocation density |
| キーワード(3)（和/英） | 横方向成長 / lateral epitaxy |
| キーワード(4)（和/英） | 転位 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 川島 毅士 / Takeshi Kawashima |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院・理工学研究科 Faculty of Science and Technology, Meijo University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 宮崎 敦嗣 / Atsushi Miyazaki |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院・理工学研究科 Faculty of Science and Technology, Meijo University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 飯田 一喜 / Kazuyoshi Iida |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院・理工学研究科 Faculty of Science and Technology, Meijo University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 井村 将隆 / Masataka Imura |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院・理工学研究科 Faculty of Science and Technology, Meijo University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 佐野 智昭 / Tomoaki Sano |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院・理工学研究科 Faculty of Science and Technology, Meijo University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 岩谷 素顕 / Motoaki Iwaya |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院・理工学研究科 Faculty of Science and Technology, Meijo University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 上山 智 / Satoshi Kamiyama |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 名城大学HRC High-Tech Research Center, Meijo University |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 天野 浩 / Hiroshi Amano |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 名城大学HRC High-Tech Research Center, Meijo University |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 赤崎 勇 / Isamu Akasaki |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 名城大学HRC High-Tech Research Center, Meijo University |
| 発表年月日 | 2003/5/8 |
| 資料番号 | ED2003-20,CPM2003-19,SDM2003-20 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 48 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
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