| 講演名 | 2003/11/4 ArFエキシマレーザ援用MOVPE法によるInNの低温薄膜成長(薄膜プロセス・材料,一般) 笠島 健, 杉田 憲一, / 橋本 明弘, 山本 〓勇, 南保 幸男, |
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| 抄録(和) | NH_3が波長200 nm以下の紫外光に対して100-1000/cm・atmという大きな吸収係数を有することに着目して、ArFエキシマレーザ(波長193 nm)を用いてNH_3及びTMIの光分解過程を検討し、InN膜の高品質化および低温成長の可能性を追求した。その結果、NH_3の光分解が主要因となって室温という極めて低温から均一性に優れた薄膜が形成できることを示した。特に、従来の熱分解MOCVD法に比べ1/50～1/100のNH_3供給量で従来以上の成長速度を持つInN成長が可能であることを明らかにした。さらに、成長温度の低下によって膜中の酸素混入量が大幅に増大することを見出し、光吸収端の成長温度依存性から、従来スパッター法などで作製され禁止帯幅が約2eVであるとされてきた物質はInNO_xである可能性が大きいことを明らかにした。 |
| 抄録(英) | Based on the fact that NH_3 has an absorption coefficient as high as 100-1000/cm・atm for ultraviolet light with a wavelength less than 200nm, AfF excimer laser-assisted MOVPE of InN has been studied. Because of the photolysis of NH_3 by the ArF excimer laser light, films are grown over the wide range of substrate temperature fom RT to 700℃, and a growth rate as high as 500 nm/h is obtained with a small amount of NH_3 supply (100 sccm). It is found that oxygen content in the grown films markedly increases with decreasing growth temperature. With the increase in oxygen content in the films, film color is changed from black to brown through dark red and absorption edge is increased from 1.2 to 2.2 eV. |
| キーワード(和) | 窒化インジウム / MOVPE / アンモニア / 光分解 / ArFエキシマレーザ |
| キーワード(英) | InN / MOVPE / ammonia / photolysis / ArF excimer Laser |
| 資料番号 | CPM2003-151 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2003/11/4(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ArFエキシマレーザ援用MOVPE法によるInNの低温薄膜成長(薄膜プロセス・材料,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Low temperature growth of InN films by ArF excimer Laser-assisted MOVPE |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 窒化インジウム / InN |
| キーワード(2)（和/英） | MOVPE / MOVPE |
| キーワード(3)（和/英） | アンモニア / ammonia |
| キーワード(4)（和/英） | 光分解 / photolysis |
| キーワード(5)（和/英） | ArFエキシマレーザ / ArF excimer Laser |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 笠島 健 / K. Kasashima |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 福井大学工学部 Faculty of Eng, Fukui University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 杉田 憲一 / K. Sugita |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 福井大学工学部 Faculty of Eng, Fukui University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | / 橋本 明弘 / A. G. Bhuiyan |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 福井大学工学部 Faculty of Eng, Fukui University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 山本 〓勇 / A. Hashimoto |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 福井大学工学部 Faculty of Eng, Fukui University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 南保 幸男 / A. Yamamoto |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 福井大学工学部:科学技術振興事業団 福井県地域結集型研究事業 Faculty of Eng, Fukui University:CREATE FUKUI JST |
| 発表年月日 | 2003/11/4 |
| 資料番号 | CPM2003-151 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 412 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |