| 講演名 | 2003/11/4 ホットフィラメントアシストスパッタ法によるカーボン薄膜の作製と電界電子放出特性の評価(薄膜プロセス・材料,一般) 須澤 孝昭, 上島 義輝, 林部 林平, 山上 朋彦, 中尾 眞人, 阿部 克也, 上村 喜一, |
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| 抄録(和) | タングステン熱フィラメントを併用した直流マグネトロンスパッタ法により,Si基板上にカーボン薄膜を作製した.作製したカーボン薄膜をXPS,SEM,電界放出測定により評価した. XPSより,フィラメント温度1800℃,2000℃の薄膜では炭素原子が薄膜中の大部分を占めているが,フィラメント温度2170 ℃ではフィラメントの材料であるタングステンが薄膜に混入していることが分かった.また. SEM観察結果から,フィラメント温度を変化させることで薄膜の形状が著しく変化することが明らかとなった.さらに,電界電子放出測定より,フィラメント温度2000℃で作製した薄膜においてターンオン電圧3.8V/μmという良好な値を得た. |
| 抄録(英) | The carbon thin films on a silicon substrate were prepared by a DC magnetron supputtering method with a tungsten hot filament. The carbon thin films were investigated by x-ray photoelectron spectroscopy (XPS), scanning electron microscope (SEM) and a field emission measurement. At the filament temperature of 1800℃ and 2000℃, the thin films were confirmed to consist of carbon and a small amount of oxygen by XPS measurements. However, the tungsten was incorporated in the film grown at a filament temperature of 2170℃. From the SEM images, it was found that the film morphology drastically changed with varying filament temperature. In the field emission measurements, the turn-on voltage was obtained at a good value of 3.8 V/μm in the film prepared at the filament temperature of 2000 ℃. |
| キーワード(和) | タングステン熱フィラメント / スパッタ法 / カーボン薄膜 / 電界放出 |
| キーワード(英) | tungsten hot filament / suputtering / carbon thin film / field emission |
| 資料番号 | CPM2003-147 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2003/11/4(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ホットフィラメントアシストスパッタ法によるカーボン薄膜の作製と電界電子放出特性の評価(薄膜プロセス・材料,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Preparation and field emission properties of carbon thin films by hot firament assisted sputtering |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | タングステン熱フィラメント / tungsten hot filament |
| キーワード(2)（和/英） | スパッタ法 / suputtering |
| キーワード(3)（和/英） | カーボン薄膜 / carbon thin film |
| キーワード(4)（和/英） | 電界放出 / field emission |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 須澤 孝昭 / Takaaki SUZAWA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 信州大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Shinshu University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 上島 義輝 / Yoshiteru KAMIJIMA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 信州大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Shinshu University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 林部 林平 / Rinpei HAYASHIBE |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 信州大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Shinshu University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 山上 朋彦 / Tomohiko YAMAKAMI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 信州大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Shinshu University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 中尾 眞人 / Masato NAKAO |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 信州大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Shinshu University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 阿部 克也 / Katsuya ABE |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 信州大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Shinshu University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 上村 喜一 / Kiichi KAMIMURA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 信州大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Shinshu University |
| 発表年月日 | 2003/11/4 |
| 資料番号 | CPM2003-147 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 412 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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