| 講演名 | 2003/11/4 ITOスパッタ膜堆積中の基板入射熱量とその抑制法(薄膜プロセス・材料,一般) 船津 健太郎, 加藤 博臣, 星 陽一, |
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| 抄録(和) | 耐熱性に劣るプラスチックフィルム基板や、有機薄膜基板上に良好なITOスパッタ膜を形成するためには、基板温度上昇の抑制可能なスパッタ法の開発が必要不可欠である。そこで本研究では、マグネトロンスパッタ法、および対向ターゲット式スパッタ法を用いてITOスパッタ膜堆積中における、基板への入射熱量を測定するとともに、基板温度上昇の要因を詳細に検討した。その結果、2次電子の基板衝撃が基板温度上昇の主な要因であること、スパッタ粒子が基板に入射して堆積するときに放出する熱量は小さいこと、また同じ膜堆積速度の条件で比較するとマグネトロンスパッタ法に比べ対向ターゲット式スパッタ法の方が基板入射熱量は半分程度と小さく、成膜中の基板温度上昇を抑制できることが分かった。 |
| 抄録(英) | Suppression of substrate heating is necessary to realize a high rate deposition of ITO thin films on a plastic film substrate. In order to clarify the mechanism of the substrate heating during sputter-deposition, the heating power incident to the substrate was measured in the sputter-deposition of the film by using a magnetron sputtering system and a facing target sputtering system. In the magnetron sputtering, most of the heating power was originated in the bombardment of high energy secondary electrons to the substrate (about 87%) and heat power based on the depositing particles to form the film on the substrate was estimated to be about 2 %. It was found that the bombardment of the electrons to the substrate can be suppressed significantly by increasing the distance between the target and substrate or applying a magnetic field in the space in front of the substrate, which results in a significant reduction of the substrate heating. On the other hand, the bombardment of high energy electrons to the substrate was suppressed basically in the facing target sputtering, as a result, compared with the deposition by using a magnetron sputtering, the total heating power incident to the substrate was reduced to about half in the sputtering. |
| キーワード(和) | 基板加熱 / ITO / マグネトロンスパッタ法 / 対向ターゲット式スパッタ法 / 低温成膜 |
| キーワード(英) | substrate heating / ITO / magnetron sputtering / facing target sputtering / low temperature deposition |
| 資料番号 | CPM2003-144 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2003/11/4(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ITOスパッタ膜堆積中の基板入射熱量とその抑制法(薄膜プロセス・材料,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Suppression of substrate heating in the sputter-deposition of ITO thin films |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 基板加熱 / substrate heating |
| キーワード(2)（和/英） | ITO / ITO |
| キーワード(3)（和/英） | マグネトロンスパッタ法 / magnetron sputtering |
| キーワード(4)（和/英） | 対向ターゲット式スパッタ法 / facing target sputtering |
| キーワード(5)（和/英） | 低温成膜 / low temperature deposition |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 船津 健太郎 / Kentaro FUNATSU |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工芸大学 工学部 電子情報工学科 Faculty of Engineering, Tokyo Polytechnics University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 加藤 博臣 / Hiro-omi KATO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工芸大学 工学部 電子情報工学科 Faculty of Engineering, Tokyo Polytechnics University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 星 陽一 / Yoichi HOSHI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工芸大学 工学部 電子情報工学科 Faculty of Engineering, Tokyo Polytechnics University |
| 発表年月日 | 2003/11/4 |
| 資料番号 | CPM2003-144 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 412 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |