| 講演名 | 2003/11/4 Cat-CVD法によるアモルファスシリコン太陽電池の作製(薄膜プロセス・材料,一般) 増田 淳, 西村 昌也, 上遠野 浩一, 杉田 健, 今森 健策, 伊藤 雅也, 松村 英樹, |
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| 抄録(和) | 触媒化学気相成長(Cat-CVD)法により作製した水素化アモルファスシリコン(a-Si:H)眼を用いた太陽電池の特性、高効率化のための要素技術について紹介する。 Cat-CVD法では膜中水素(H)量が少なく光安定性に優れたa-Si:H膜が得られる。一方、気相中H原子濃度は高く酸化物透明電極の還元が懸念されるが、酸化錫(SnO_2)透明電極の還元抑止には酸化亜鉛(ZnO)保護層が有効であることを見出した。また、窓層に用いるp層材料として、Cat-CVD法で作製した微結晶シリコン(μc-Si:H)膜ならびに水素化アモルファスシリコンカーボン(a-Si_<1-x>C_x:H)眼の可能性を検討した。さらに、p/i界面へのバッファ層挿入による太陽電池特性改善の試みについても報告する。 |
| 抄録(英) | Performances for solar cells using hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) films prepared by catalytic chemical vapor deposition (Cat-CVD) are introduced together with fundamental techniques for improving solar-cell efficiencies. Low hydrogen (H) content in a-Si:H films, which is possible origin of stability for light soaking, is one of the characteristic features of a-Si:H films by Cat-CVD. A large amount of H atoms in gas phase are also remarkable properties for Cat-CVD. Although it is worried that transparent conducting oxide electrode is reduced by a large amount of H atoms, it was found that zinc oxide (ZnO) coating is effective for suppressing the reduction of tin oxide (SnO_2). Feasibility of microcrystalline silicon (μc-Si:H) and hydrogenated amorphous silicon-carbon(a-Si_<1-x>C_x:H) films prepared by Cat-CVD for p-type window-layer materials was studied. Effects of the buffer layer at p/i interface on improving the solar-cell performances are also demonstrated. |
| キーワード(和) | Cat-CVD(ホットワイヤCVD)法 / アモルファスシリコン太陽電池 / 酸化物透明電極 / バッファ層 |
| キーワード(英) | Catalytic (Hot-Wire) Chemical Vapor Deposition / Amorphous Silicon Solar Cells / Transparent Conducting Oxide Electrode / Buffer Layer |
| 資料番号 | CPM2003-143 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2003/11/4(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Cat-CVD法によるアモルファスシリコン太陽電池の作製(薄膜プロセス・材料,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of Amorphous Silicon Solar Cells by Catalytic Chemical Vapor Deposition |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Cat-CVD(ホットワイヤCVD)法 / Catalytic (Hot-Wire) Chemical Vapor Deposition |
| キーワード(2)（和/英） | アモルファスシリコン太陽電池 / Amorphous Silicon Solar Cells |
| キーワード(3)（和/英） | 酸化物透明電極 / Transparent Conducting Oxide Electrode |
| キーワード(4)（和/英） | バッファ層 / Buffer Layer |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 増田 淳 / Atsushi MASUDA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北陸先端科学技術大学院大学・材料科学研究科 School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 西村 昌也 / Masaya NISHIMURA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北陸先端科学技術大学院大学・材料科学研究科 School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 上遠野 浩一 / Kouichi KATOUNO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 北陸先端科学技術大学院大学・材料科学研究科 School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 杉田 健 / Ken SUGITA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 北陸先端科学技術大学院大学・材料科学研究科 School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 今森 健策 / Kensaku IMAMORI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 北陸先端科学技術大学院大学・材料科学研究科 School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 伊藤 雅也 / Masaya ITOH |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 北陸先端科学技術大学院大学・材料科学研究科 School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 松村 英樹 / Hideki MATSUMURA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 北陸先端科学技術大学院大学・材料科学研究科 School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology |
| 発表年月日 | 2003/11/4 |
| 資料番号 | CPM2003-143 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 412 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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