| 講演名 | 2003/9/26 高効率高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス) 吉川 俊英, 金村 雅仁, 横川 茂, 安達 信雄, 横山 満徳, 西 眞広, 田中 正公, 五十嵐 勉, 館野 泰範, 原 直紀, 常信 和清, |
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| 抄録(和) | AlGaN/GaN HEMTは高耐圧・高出力デバイスとして期待されている.高周波パワー応用においては高効率動作が必須であるが特に大出力時の高効率動作についての報告はほとんどない.よって本報告ではGaN-HEMTを用いて55 V動作・124 WのCW出力及び最大電力付加効率56%の特性を得たことについて報告する.加えて歪特性についてもゲート幅大チップに対して50V動作での特性を把握した.また初期信頼度についての評価や大口径基板上のステッパ露光プロセスも行い閾値電圧の標準偏差で50 mVと良好な値を得た. |
| 抄録(英) | We have focused on high-efficiency operation using AlGaN/GaN HEMTs. We obtained 124 W CW output power at 55 V drain bias voltage with maximum power added efficiency (PAE) of 56%. We also demonstrated low distortion performance which fulfilled W-CDMA system requirements, such as adjacent channel power ratio (ACPR). We also investigated preliminary reliability test and fabricatied HEMT on large diameter wafer using stepper lithography. |
| キーワード(和) | GaN / AlGaN / HEMT / FET / パワー / 基地局 / 効率 / 表面電荷 / 電流コラプス / 高電圧動作 |
| キーワード(英) | GaN / AlGaN / HEMT / FET / power / base station / efficiency / surface change / current collapse / high voltage operation |
| 資料番号 | ED2003-160,CPM2003-130,LQE2003-78 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2003/9/26(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 高効率高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High-Efficiency High-Power GaN-HEMT |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(3)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(4)（和/英） | FET / FET |
| キーワード(5)（和/英） | パワー / power |
| キーワード(6)（和/英） | 基地局 / base station |
| キーワード(7)（和/英） | 効率 / efficiency |
| キーワード(8)（和/英） | 表面電荷 / surface change |
| キーワード(9)（和/英） | 電流コラプス / current collapse |
| キーワード(10)（和/英） | 高電圧動作 / high voltage operation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 吉川 俊英 / Toshihide KIKKAWA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 金村 雅仁 / Masahito KANAMURA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 横川 茂 / Shigeru YOKOKAWA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 富士通カンタムデバイス(株) Fujitsu Quantum Devices Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 安達 信雄 / Nobuo ODACHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 富士通カンタムデバイス(株) Fujitsu Quantum Devices Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 横山 満徳 / Mitsunori YOKOYAMA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 富士通カンタムデバイス(株) Fujitsu Quantum Devices Ltd. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 西 眞広 / Masahiro NISHI |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 富士通カンタムデバイス(株) Fujitsu Quantum Devices Ltd. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 田中 正公 / Masahiro TANAKA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 富士通カンタムデバイス(株) Fujitsu Quantum Devices Ltd. |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 五十嵐 勉 / Tsutomu Igarashi |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 富士通カンタムデバイス(株) Fujitsu Quantum Devices Ltd. |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 館野 泰範 / Yasunori TATENO |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 富士通カンタムデバイス(株) Fujitsu Quantum Devices Ltd. |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 原 直紀 / Naoki HARA |
| 第 10 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 11 著者 氏名（和/英） | 常信 和清 / Kazukiyo JOSHIN |
| 第 11 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 発表年月日 | 2003/9/26 |
| 資料番号 | ED2003-160,CPM2003-130,LQE2003-78 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 344 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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