| 講演名 | 2003/9/26 高出力AlGaN/GaNリセス構造FP-FET(窒化物及び混晶半導体デバイス) 岡本 康宏, 安藤 裕二, 幡谷 耕二, 井上 隆, 中山 達峰, 宮本 広信, 葛原 正明, |
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| 抄録(和) | フィールドプレート(FP)を有するAlGaN/GaNヘテロ接合FETにゲートリセスを適用した。リセスの適用によって相互コンダクタンスが130mS/mmから200mS/mmに向上した結果、2GHzで4dB以上高い小信号利得が実現できた。また、電流コラプスの評価により、ゲートリセスの適用により表面トラップの影響が抑制できることを確認した。マルチセル素子のパワー測定を実施し、ゲート幅24mmのリセス構造FP-FETにて、飽和出力120W、線形利得9.2dB、電力付加効率54%を達成した。 |
| 抄録(英) | Recessed-gate AlGaN/GaN heterojunction FET with a field plate (FP) was successfully fabricated. More than 4dB improvement in the small signal gain was achieved due to higher transconductance. A series of current collapse measurements revealed that the recessed-gate structure can suppress the effect of surface trap. A 24mm-wide FP-FET exhibited 120W output power, 9.2dB linear gain, and 54% power-added efficiency at a drain bias of 34V. |
| キーワード(和) | GaN / FET / フィールドプレート / リセス |
| キーワード(英) | GaN / FET / Field plate / Recess |
| 資料番号 | ED2003-158,CPM2003-128,LQE2003-76 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2003/9/26(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 高出力AlGaN/GaNリセス構造FP-FET(窒化物及び混晶半導体デバイス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High-Power Recessed-Gate AlGaN/GaN Heterojunction Field-Plate FET |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | FET / FET |
| キーワード(3)（和/英） | フィールドプレート / Field plate |
| キーワード(4)（和/英） | リセス / Recess |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 岡本 康宏 / Yasuhiro OKAMOTO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 財団法人 新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスR&Dセンター Advanced HF Device R&D Center, R&D Association for Future Electron Devices |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 安藤 裕二 / Yuji ANDO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 財団法人 新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスR&Dセンター Advanced HF Device R&D Center, R&D Association for Future Electron Devices |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 幡谷 耕二 / Kohji HATAYA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 財団法人 新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスR&Dセンター Advanced HF Device R&D Center, R&D Association for Future Electron Devices |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 井上 隆 / Takashi INOUE |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 財団法人 新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスR&Dセンター Advanced HF Device R&D Center, R&D Association for Future Electron Devices |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 中山 達峰 / Tatsuo NAKAYAMA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 財団法人 新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスR&Dセンター Advanced HF Device R&D Center, R&D Association for Future Electron Devices |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 宮本 広信 / Hironobu MIYAMOTO |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 財団法人 新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスR&Dセンター Advanced HF Device R&D Center, R&D Association for Future Electron Devices |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 葛原 正明 / Masaaki KUZUHARA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 財団法人 新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスR&Dセンター Advanced HF Device R&D Center, R&D Association for Future Electron Devices |
| 発表年月日 | 2003/9/26 |
| 資料番号 | ED2003-158,CPM2003-128,LQE2003-76 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 344 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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