講演名 2003/9/26
高相互コンダクタンスを有するSiC基板上のリセスゲートAlGaN/GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
見田 充郎, 大来 英之, 海部 勝晶, 山田 朋幸, 佐野 芳明, 江川 孝志, 石川 博康,
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抄録(和) リセスゲートを有するAlGaN/GaN HEMTをSiC基板上に作製した。このHEMTのFET特性を改善するため,1)ゲート電極-ソース電極間距離を変化させた場合,および2)リセス・エッチングの深さを変えてゲート電極を形成しゲート電極-チャネル間距離を変化させた場合,の2種のゲート電極の位置について最適化を行った。その結果,今回変化させた範囲では,ゲート電極がソース電極に近づくにともない,またゲート電極がチャネルに近づくにともない,最大相互コンダクタンスg_が増加することが分かった。その結果,ゲート長0.21μmの最適化したリセスゲートHEMTにおいて,g_ = 525 mS/mmを得た。
抄録(英) Recessed Gate AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) grown on SiliconCarbide (SiC) substrate have been fabricated. In order to improve FET performances, we optimized the two kinds of arrangement of gate electrode of HEMT, ie. 1) distance of gate electrode and source electrode and 2) distance of gate electrode and channel where 2 dimensional electron gas lies. 0.21 μm gate-length AlGaN/GaN-HEMTs with recessed gate were successfully fabricated and obtained trans-conductance wad as high as 525 mS/mm. In this paper we describe the optimisation of the arrangements of gate electrodes and the results of DC/RF measurements of our HEMTs.
キーワード(和) SiC基板 / リセスゲート / AlGaN-GaN HEMT / 最大相互コンダクタンス
キーワード(英) SiC substrate / recess-gate / AlGaN-GaN HEMT / maximum trans-conductance
資料番号 ED2003-157,CPM2003-127,LQE2003-75
発行日

研究会情報
研究会 CPM
開催期間 2003/9/26(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Component Parts and Materials (CPM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 高相互コンダクタンスを有するSiC基板上のリセスゲートAlGaN/GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
サブタイトル(和)
タイトル(英) High Trans-conductance Recessed Gate AlGaN/GaN HEMT on SiC Substrate
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) SiC基板 / SiC substrate
キーワード(2)(和/英) リセスゲート / recess-gate
キーワード(3)(和/英) AlGaN-GaN HEMT / AlGaN-GaN HEMT
キーワード(4)(和/英) 最大相互コンダクタンス / maximum trans-conductance
第 1 著者 氏名(和/英) 見田 充郎 / Juro Mita
第 1 著者 所属(和/英) 沖電気工業(株)研究開発本部
Corporate Research & Development Center, Oki Electric Industry Co., Ltd.
第 2 著者 氏名(和/英) 大来 英之 / Hideyuki Okita
第 2 著者 所属(和/英) 沖電気工業(株)研究開発本部
Corporate Research & Development Center, Oki Electric Industry Co., Ltd.
第 3 著者 氏名(和/英) 海部 勝晶 / Katsuaki KAIFU
第 3 著者 所属(和/英) 沖電気工業(株)研究開発本部
Corporate Research & Development Center, Oki Electric Industry Co., Ltd.
第 4 著者 氏名(和/英) 山田 朋幸 / Tomoyuki YAMADA
第 4 著者 所属(和/英) 沖電気工業(株)研究開発本部
Corporate Research & Development Center, Oki Electric Industry Co., Ltd.
第 5 著者 氏名(和/英) 佐野 芳明 / Yoshiaki SANO
第 5 著者 所属(和/英) 沖電気工業(株)研究開発本部
Corporate Research & Development Center, Oki Electric Industry Co., Ltd.
第 6 著者 氏名(和/英) 江川 孝志 / Takashi EGAWA
第 6 著者 所属(和/英) 名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
Nagoya Institute of Technology, Research Center for Nano-Device and System
第 7 著者 氏名(和/英) 石川 博康 / Hiroyasu ISHIKAWA
第 7 著者 所属(和/英) 名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
Nagoya Institute of Technology, Research Center for Nano-Device and System
発表年月日 2003/9/26
資料番号 ED2003-157,CPM2003-127,LQE2003-75
巻番号(vol) vol.103
号番号(no) 344
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日