| 講演名 | 2003/9/26 Ka帯3W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(窒化物及び混晶半導体デバイス) 井上 隆, 安藤 裕二, 中山 達峰, 宮本 広信, 岡本 康宏, 幡谷 耕二, 葛原 正明, |
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| 抄録(和) | SiC基板上に作製したAlGaN/GaNヘテロ接合FETで、初めて3ワット級の30GHz帯パワー動作を確認したので報告する。出力特性向上に向けて、GaN系における高耐圧および大電流、短チャネルによる高利得といった特長を最大限に活かすべく、FET平面レイアウト構造や最適デバイス断面構造の改良を行った。その結果、ゲート幅0.45mmの単チップでKa帯において出力3Wを超えるパワー性能の最高記録を達成した。試作したゲート幅100μmのFETのMSGは、ゲート長Lg=0.25μmでは30GHzにおいて9.6dB(60GHzにおいて6.6dB)と良好であることから、短チャネルAlGaN/GaNヘテロ接合FETはKa帯あるいはそれ以上の周波数における様々な高出力応用に有望であると考えられる。 |
| 抄録(英) | This paper describes the first successful 3watt-level 30GHz Ka-band power operation of an AlGaN/GaN heterojunction FET fabricated on a SiC substrate. The FET layout configuration was improved and the device dimensions were optimized to take advantage of the high breakdown voltage, high-current, and high-gain characteristics of the short-channel GaN-based FET for advanced power performance. State-of-the-art performance of more than 3W at Ka-band has been achieved employing a single chip having a qate width of 0.45mm. The fabricated FET with a gate-width of 100μm exhibited an MSG of 9.6dB at 30GHz (6.6dB at 60GHz) for a gate-length of 0.25μm, indicating that the short-channel AlGaN/GaN heterojunction FET is promising for a variety of high-power applications at Ka-band and above. |
| キーワード(和) | Ka帯 / AlGaN-GaN / ヘテロ接合FET / T型ゲート / SiC基板 |
| キーワード(英) | Ka-band / AlGaN-GaN / Heterojunction FET / T-shaped Gate / SiC Substrate |
| 資料番号 | ED2003-156,CPM2003-126,LQE2003-74 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2003/9/26(から1日開催) |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Ka帯3W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(窒化物及び混晶半導体デバイス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Ka-band 3W-Power AlGaN/GaN Heterojnction-FET |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Ka帯 / Ka-band |
| キーワード(2)（和/英） | AlGaN-GaN / AlGaN-GaN |
| キーワード(3)（和/英） | ヘテロ接合FET / Heterojunction FET |
| キーワード(4)（和/英） | T型ゲート / T-shaped Gate |
| キーワード(5)（和/英） | SiC基板 / SiC Substrate |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 井上 隆 / Takashi INOUE |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスR&Dセンター Advanced HF Device R&D Center, R&D Association for Future Electron Devices |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 安藤 裕二 / Yuhji ANDO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスR&Dセンター Advanced HF Device R&D Center, R&D Association for Future Electron Devices |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 中山 達峰 / Tatsuo NAKAYAMA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスR&Dセンター Advanced HF Device R&D Center, R&D Association for Future Electron Devices |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 宮本 広信 / Hironobu MIYAMOTO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | (財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスR&Dセンター Advanced HF Device R&D Center, R&D Association for Future Electron Devices |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 岡本 康宏 / Yasuhiro OKAMOTO |
| 第 5 著者 所属（和/英） | (財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスR&Dセンター Advanced HF Device R&D Center, R&D Association for Future Electron Devices |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 幡谷 耕二 / Kohji HATAYA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | (財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスR&Dセンター Advanced HF Device R&D Center, R&D Association for Future Electron Devices |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 葛原 正明 / Masaaki KUZUHARA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | (財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスR&Dセンター Advanced HF Device R&D Center, R&D Association for Future Electron Devices |
| 発表年月日 | 2003/9/26 |
| 資料番号 | ED2003-156,CPM2003-126,LQE2003-74 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 344 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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