| 講演名 | 2003/9/26 AlGaN/GaN MODFETの電気特性のゲート方位依存性(窒化物及び混晶半導体デバイス) 石田 秀俊, 村田 智洋, 神田 敦彦, 石井 基範, 廣瀬 裕, 上本 康裕, 田中 毅, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | AlGaN/GaN MODFET電気特性のゲート方位依存性を検討した。同一ウェハ上に作製した15°おきに異なるゲート方位をもつMODFETは同一の電気特性を示し、GaAs FETで知られている電気特性のゲート方位依存性がないことがわかった。この原因を明らかにするために、ゲート方位依存性の原因となる電極近傍のピエゾ電荷密度を有限要素法を用いて計算した。有限要素解析では、材料の圧電定数と弾性定数を含む圧電方程式をもとに、境界条件としてゲート端に応力を仮定して計算した。これより、AlGaN/GaN MODFETの場合、ゲート電極近傍にピエゾ電荷が発生するものの、それがゲート方位依存性をもたないことを明らかにした。さらに、これらの結果は六方晶系材料の圧電定数および弾性定数の対称性に起因することを明らかにした。 |
| 抄録(英) | The orientation effect on AlGaN/GaN MODFETs has been demonstrated. The MODFETs with different gate direction with the 15 degree step on a substrate show the same electrical property. The piezoelectric charges induced under the gate electrode which cause the shift of electrical characteristics of GaAs FETs are calculated by using a finite element method. This simulation solves the piezoelectric equations with piezoelectric and elastic stiffness constants. These calculated charges do not depend on the gate direction which is consistent to the experimental result. The fact that these results are due to the symmetry of the piezoelectric and elastic stiffness constants is mathematically clarified. |
| キーワード(和) | GaN / FET / 方位 / 応力 / ピエゾ電荷 / 有限要素法 |
| キーワード(英) | GaN / FET / direction / stress / piezoelectric / finite element method |
| 資料番号 | ED2003-155,CPM2003-125,LQE2003-73 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
|---|---|
| 開催期間 | 2003/9/26(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | AlGaN/GaN MODFETの電気特性のゲート方位依存性(窒化物及び混晶半導体デバイス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A consideration of orientation effect on AlGaN/GaN MODFETs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | FET / FET |
| キーワード(3)（和/英） | 方位 / direction |
| キーワード(4)（和/英） | 応力 / stress |
| キーワード(5)（和/英） | ピエゾ電荷 / piezoelectric |
| キーワード(6)（和/英） | 有限要素法 / finite element method |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 石田 秀俊 / Hidetoshi ISHIDA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター Semiconductor Research Laboratory, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 村田 智洋 / Tomohiro MURATA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター Semiconductor Research Laboratory, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 神田 敦彦 / Atsuhiko KANDA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター Semiconductor Research Laboratory, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 石井 基範 / Motonori ISHII |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター Semiconductor Research Laboratory, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 廣瀬 裕 / Yutaka HIROSE |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター Semiconductor Research Laboratory, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 上本 康裕 / Yasuhiro UEMOTO |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター Semiconductor Research Laboratory, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 田中 毅 / Tsuyoshi TANAKA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター Semiconductor Research Laboratory, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 発表年月日 | 2003/9/26 |
| 資料番号 | ED2003-155,CPM2003-125,LQE2003-73 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 344 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |