| 講演名 | 2003/9/26 Si基板上AlGaN/GaN HFETの高耐圧化(窒化物及び混晶半導体デバイス) 町田 修, 柳原 将貴, 千野 恵美子, 岩上 信一, 金子 信男, 後藤 博一, 大塚 康二, |
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| 抄録(和) | Si基板上に作製したAlGaN/GaN HFETの耐圧を評価した.GaN/AlNバッファ層を用いて,アンドープGaN層,アンドープAlGaN層を,MOVPE法によりSi基板上に成長した.エピタキシャル成長層が薄い場合,縦方向特性を測定することで,ドレインリーク電流がSi基板を流れていることを確認した.エピタキシャル成長層が厚い場合は,ドレインリーク電流はGaN/AlNバッファ層上部と表面近傍の2次元電子ガス(チャネル)層を経由して流れていると考えられた.素子分離を行うことでこのリーク電流は抑制され, 550V以上の破壊電圧を得た. |
| 抄録(英) | Breakdown voltages of AlGaN/GaN HFETs on Si substrates were investigated. Using GaN/AlN buffer layer, undoped GaN layer and AlGaN layer were grown on Si substrates by metalorganic vapor phase epitaxy. It was confirmed that drain leakage current of HFET fabricated on thin epitaxial layers flows though the Si substrate by measuring the vertical characteristics. In case of thicker epitaxial layers, it was considered that drain leakage current flows via the upper part of GaN/AlN buffer layer and two-dimensional electron gas (channel) layer close to the surface. The leakage current was suppressed by element separation. Consequently, breakdown voltage of 550V or over was achieved. |
| キーワード(和) | GaN / ヘテロ接合FET / 耐圧 / リーク電流 / Si基板 |
| キーワード(英) | GaN / Hetero-junction FET / Breakdown voltage / Leakage current / Si substrates |
| 資料番号 | ED2003-154,CPM2003-124,LQE2003-72 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2003/9/26(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Si基板上AlGaN/GaN HFETの高耐圧化(窒化物及び混晶半導体デバイス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Improvement of Breakdown Voltage for AlGaN/GaN HFETs on Si Substrates |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | ヘテロ接合FET / Hetero-junction FET |
| キーワード(3)（和/英） | 耐圧 / Breakdown voltage |
| キーワード(4)（和/英） | リーク電流 / Leakage current |
| キーワード(5)（和/英） | Si基板 / Si substrates |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 町田 修 / Osamu MACHIDA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | サンケン電気株式会社 研究所 Semiconductor Research and Development, Sanken Electric Co., Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 柳原 将貴 / Masataka YANAGIHARA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | サンケン電気株式会社 研究所 Semiconductor Research and Development, Sanken Electric Co., Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 千野 恵美子 / Emiko CHINO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | サンケン電気株式会社 研究所 Semiconductor Research and Development, Sanken Electric Co., Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 岩上 信一 / Sinichi IWAKAMI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | サンケン電気株式会社 研究所 Semiconductor Research and Development, Sanken Electric Co., Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 金子 信男 / Nobuo KANEKO |
| 第 5 著者 所属（和/英） | サンケン電気株式会社 研究所 Semiconductor Research and Development, Sanken Electric Co., Ltd. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 後藤 博一 / Hirokazu GOTO |
| 第 6 著者 所属（和/英） | サンケン電気株式会社 研究所 Semiconductor Research and Development, Sanken Electric Co., Ltd. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 大塚 康二 / Kohji OHTSUKA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | サンケン電気株式会社 研究所 Semiconductor Research and Development, Sanken Electric Co., Ltd. |
| 発表年月日 | 2003/9/26 |
| 資料番号 | ED2003-154,CPM2003-124,LQE2003-72 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 344 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |