| 講演名 | 2003/9/26 GaNおよびAlGaN表面の窒素空乏と接合特性(窒化物及び混晶半導体デバイス) 橋詰 保, |
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| 抄録(和) | GaNおよびAlGaN表面に対して、高温熱処理処理・プラズマ処理・絶縁膜堆積プロセスを施し、化学的特性と電気的特性との相関を詳細に評価した。それらの結果を基に、GaNおよびAlGaN表面で生じる窒素空乏のメカニズムと、ショットキー接合およびMIS接合特性に与える影響を議論した。種々のデバイスプロセス中に、GaNおよびAlGaN表面に窒素空孔に関連した表面欠陥準位(Ec-0.4 eV)が生じることが明らかになった。この欠陥準位とエネルギー的に連続分布を持つ表面準位がGaNおよびAlGaN表面の電子状態を支配し、電流コラプス等の不安定性の要因になる。また、ショットキー界面に高密度の窒素空孔関連準位が形成された場合、ポテンシャル障壁を薄くし、実効的な障壁高の低下とリーク電流の増大を引き起こすものと考えられる。 |
| 抄録(英) | Effects of various device processings on chemical and electronic properties of AlGaN surfaces were investigated. The XPS analysis showed serious deterioration such as stoichiometry disorder and N-deficiency at the AlGaN surfaces processed by the high-temperature annealing, the H_2-plasma cleaning, the dry etching in CH_4/H_2/Ar plasma and the deposition of SiO_2. The N-deficiency could introduce a localized deep donor level related to N vacancy near-surface resion in AlGaN, probably causing serious reduction of the barrier heights at the AlGaN Schottky interfaces. A SiN_x passivation layer was effective in suppressing the formation of N-vacancy-related surface defects during device processings. |
| キーワード(和) | GaN / AlGaN / 表面 / 窒素空孔 / コラプス / リーク電流 |
| キーワード(英) | GaN / AlGaN / surface / nitrogen vacancy / collapse / leakage |
| 資料番号 | ED2003-153,CPM2003-123,LQE2003-71 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2003/9/26(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | GaNおよびAlGaN表面の窒素空乏と接合特性(窒化物及び混晶半導体デバイス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Nitrogen deficiency on GaN and AlGaN surfaces induced during thermal and plasma processings |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(3)（和/英） | 表面 / surface |
| キーワード(4)（和/英） | 窒素空孔 / nitrogen vacancy |
| キーワード(5)（和/英） | コラプス / collapse |
| キーワード(6)（和/英） | リーク電流 / leakage |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 橋詰 保 / Tamotsu Hashizume |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University |
| 発表年月日 | 2003/9/26 |
| 資料番号 | ED2003-153,CPM2003-123,LQE2003-71 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 344 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |