| 講演名 | 2003/9/26 AlGaN/GaN 2DEG構造の熱的安定性におけるSiN保護膜の効果(窒化物及び混晶半導体デバイス) 塩島 謙次, 杉谷 末広, 重川 直輝, |
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| 抄録(和) | 我々はAlGaN/GaN 2次元電子ガス構造の熱的安定性に注目し、これまでにAlGaNバリア層厚さが200Åより薄い場合、AlGaNの結晶品質により、結晶成長温度以下の熱処理温度でもシート抵抗が上昇することを報告してきた。今回はSiN保護膜によるシート抵抗の安定化を検討した。 AlGaN膜が152Åまで薄くても、SiN膜により表面保護を行うと、窒素雰囲気中800℃までの熱処理後もシート抵抗は安定した。また、620℃の熱処理温度までTi/Alオーミック電極との良好な整合性を確認した。本検討結果はAlGaNバリア層の薄層化によるFETの高性能化において重要なプロセスであることを示すものである。 |
| 抄録(英) | We found that the sheet resistance (R_ |
| キーワード(和) | AlGaN-GaNヘテロ構造 / シート抵抗 / 熱的安定性 / HEMT / SiN保護膜 |
| キーワード(英) | AlGaN-GaN heterostructure / Sheet resistance / Thermal stability / HEMT / SiN passivation |
| 資料番号 | ED2003-152,CPM2003-122,LQE2003-70 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2003/9/26(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | AlGaN/GaN 2DEG構造の熱的安定性におけるSiN保護膜の効果(窒化物及び混晶半導体デバイス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effect of SiN films on thermal stability of AlGaN/GaN 2DEG structures |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN-GaNヘテロ構造 / AlGaN-GaN heterostructure |
| キーワード(2)（和/英） | シート抵抗 / Sheet resistance |
| キーワード(3)（和/英） | 熱的安定性 / Thermal stability |
| キーワード(4)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(5)（和/英） | SiN保護膜 / SiN passivation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 塩島 謙次 / Kenji SHIOJIMA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 NTT Corporation NTT Photonics Laboratories |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 杉谷 末広 / Suehiro SUGITANI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 NTT Corporation NTT Photonics Laboratories |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 重川 直輝 / Naoteru SHIGEKAWA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 NTT Corporation NTT Photonics Laboratories |
| 発表年月日 | 2003/9/26 |
| 資料番号 | ED2003-152,CPM2003-122,LQE2003-70 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 344 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |