| 講演名 | 2003/9/26 n-(Al)GaN上ショットキー電極の金属膜構成と熱処理依存性(窒化物及び混晶半導体デバイス) 南條 拓真, 三浦 成久, 大石 敏之, 吹田 宗義, 阿部 雄次, 尾関 龍夫, 石川 博康, 江川 孝志, |
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| 抄録(和) | n-(AI)GaN上ショットキー電極の金属膜構成と熱処理について検討した。まず、10nm以下の薄いNi上に仕事関数の異なる金属を蒸着し熱処理した。熱処理前はほぼ同じ障壁高さであったが、熱処理すると障壁高さはNi上金属の仕事関数に依存した。障壁高さと仕事関数の関係の勾配Sは0.85であり、表面ピンニングの少ないショットキー電極が形成されていた。最大の障壁高さは、熱処理したNi/Pt/Au(GaN上)で1.3eVであった。また、障壁高さが増加すると逆方向電流は減少した。次にNi/Pt/AuとPt/Au構造の熱処理依存性を検討し、高い障壁高さを得るためにNiが必要であることがわかった。熱処理したNi/Pt/Auをゲート電極として用いたAlGaN/GaN HEMTでは相互コンダクタンスを減少させずにゲートリーク電流を減少させることができた。また、オフ耐圧が熱処理することで114Vから200Vに向上した。 |
| 抄録(英) | Schottky diodes with high performance were fabricated on n-GaN and AlGaN/GaN heterostructure by annealing the metal system which contains Pt on thin Ni. A barrier height of Schottky diodes (φ_B) depends on the work function of the metal on thin Ni after the annealing. High φ_B of 1.3 eV was obtained for the annealed Ni/Pt/Au on n-GaN. This metal system had superior φ_B than Pt/Au after annealing. Because of high φ_B, reverse current was as low as 7.7 x 10^<-6>/cm^2 at -2V for Schottky diode on AlGaN/GaN. AlGaN/GaN HEMTs (high electron mobility transistors) with the gate electrode of the annealed Ni/Pt/Au were fabricated. The gate leakage current reduced without degrading the transconductance of the transistors. Moreover, off-state breakdown voltage increased from 114 to 200 V. |
| キーワード(和) | ショットキー電極 / 熱処理 / 障壁高さ / GaN / AlGaN-GaN高電子トランジスタ(HEMT) |
| キーワード(英) | Schottky diode / annealing / barrier height / GaN / AlGaN-GaN HEMT / off-state breakdown / gate leakage current |
| 資料番号 | ED2003-151,CPM2003-121,LQE2003-69 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2003/9/26(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | n-(Al)GaN上ショットキー電極の金属膜構成と熱処理依存性(窒化物及び混晶半導体デバイス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Annealed Ni/Pt/Au metal system as Schottky contacts on n-GaN and AlGaN/GaN |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ショットキー電極 / Schottky diode |
| キーワード(2)（和/英） | 熱処理 / annealing |
| キーワード(3)（和/英） | 障壁高さ / barrier height |
| キーワード(4)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(5)（和/英） | AlGaN-GaN高電子トランジスタ(HEMT) / AlGaN-GaN HEMT |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 南條 拓真 / Takuma NANJO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)先端技術総合研究所 Advanced Technology R&D Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 三浦 成久 / Naruhisa MIURA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)先端技術総合研究所 Advanced Technology R&D Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 大石 敏之 / Toshiyuki OISHI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)先端技術総合研究所 Advanced Technology R&D Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 吹田 宗義 / Muneyoshi SUITA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)先端技術総合研究所 Advanced Technology R&D Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 阿部 雄次 / Yuji ABE |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)先端技術総合研究所 Advanced Technology R&D Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 尾関 龍夫 / Tatsuo OZEKI |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)先端技術総合研究所 Advanced Technology R&D Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 石川 博康 / Hiroyasu ISHIKAWA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター Research Center for Nano-Device and System, Nagoya Institute of Technology |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 江川 孝志 / Takashi EGAWA |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター Research Center for Nano-Device and System, Nagoya Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2003/9/26 |
| 資料番号 | ED2003-151,CPM2003-121,LQE2003-69 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 344 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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