講演名 | 2003/9/26 MOVPE法による100mm径サファイア基板上への高Al組成Al_xGa_<1-x>N/GaN HEMT構造の成長とその特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス) 三好 実人, 坂井 正宏, 石川 博康, 江川 孝志, 神保 孝志, 田中 光浩, 小田 修, 勝川 裕幸, |
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抄録(和) | 実用的且つ高出力のGaN系電子デバイスの実現という観点から,大型MOVPE炉を用いて100mm径サファイア上への高Al組成Al_xGa_<1-x>N/GaN (0.26 ≤ x_ |
抄録(英) | For the practical use and the high-power applications of GaN-based electronic devices, we examined the growth of high-Al-content Al_xGa_<1-x>N/GaN (0.26 ≤ x_ |
キーワード(和) | Al_xGa_<1-x>N-GaN HEMT / 高Al組成Al_xGa_<1-x>N / MOVPE / 100mm径サファイア基板 / 均一性 |
キーワード(英) | Al_xGa_<1-x>N-GaN HEMT / high-Al-content Al_xGa_<1-x>N / MOVPE / 100-mm-diameter sapphire substrates / uniformity |
資料番号 | ED2003-150,CPM2003-120,LQE2003-68 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | CPM |
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開催期間 | 2003/9/26(から1日開催) |
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講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | MOVPE法による100mm径サファイア基板上への高Al組成Al_xGa_<1-x>N/GaN HEMT構造の成長とその特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス) |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | MOVPE Growth and Characterization of High-Al-Content Al_xGa_<1-x>N/GaN HEMT Layers on 100-mm-diameter Sapphire Substrates |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | Al_xGa_<1-x>N-GaN HEMT / Al_xGa_<1-x>N-GaN HEMT |
キーワード(2)(和/英) | 高Al組成Al_xGa_<1-x>N / high-Al-content Al_xGa_<1-x>N |
キーワード(3)(和/英) | MOVPE / MOVPE |
キーワード(4)(和/英) | 100mm径サファイア基板 / 100-mm-diameter sapphire substrates |
キーワード(5)(和/英) | 均一性 / uniformity |
第 1 著者 氏名(和/英) | 三好 実人 / Makoto MIYOSHI |
第 1 著者 所属(和/英) | 名古屋工業大学 極微デバイス機能システム研究センター:日本ガイシ株式会社 Research Center for Nano-Device and System, Nagoya Institute of Technology:NGK INSULATORS, LTD. |
第 2 著者 氏名(和/英) | 坂井 正宏 / Masahiro SAKAI |
第 2 著者 所属(和/英) | 名古屋工業大学 極微デバイス機能システム研究センター:日本ガイシ株式会社 Research Center for Nano-Device and System, Nagoya Institute of Technology:NGK INSULATORS, LTD. |
第 3 著者 氏名(和/英) | 石川 博康 / Hiroyasu ISHIKAWA |
第 3 著者 所属(和/英) | 名古屋工業大学 極微デバイス機能システム研究センター Research Center for Nano-Device and System, Nagoya Institute of Technology |
第 4 著者 氏名(和/英) | 江川 孝志 / Takashi EGAWA |
第 4 著者 所属(和/英) | 名古屋工業大学 極微デバイス機能システム研究センター Research Center for Nano-Device and System, Nagoya Institute of Technology |
第 5 著者 氏名(和/英) | 神保 孝志 / Takashi JINBO |
第 5 著者 所属(和/英) | 名古屋工業大学 極微デバイス機能システム研究センター Research Center for Nano-Device and System, Nagoya Institute of Technology |
第 6 著者 氏名(和/英) | 田中 光浩 / Mitsuhiro TANAKA |
第 6 著者 所属(和/英) | 日本ガイシ株式会社 NGK INSULATORS, LTD. |
第 7 著者 氏名(和/英) | 小田 修 / Osamu ODA |
第 7 著者 所属(和/英) | 日本ガイシ株式会社 NGK INSULATORS, LTD. |
第 8 著者 氏名(和/英) | 勝川 裕幸 / Hiroyuki KATSUKAWA |
第 8 著者 所属(和/英) | 日本ガイシ株式会社 NGK INSULATORS, LTD. |
発表年月日 | 2003/9/26 |
資料番号 | ED2003-150,CPM2003-120,LQE2003-68 |
巻番号(vol) | vol.103 |
号番号(no) | 344 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 5 |
発行日 |