| 講演名 | 2003/9/26 MOCVD法による4インチSi基板上GaN及びAlGaN/GaNヘテロ構造の結晶成長(窒化物及び混晶半導体デバイス) 石川 博康, 加藤 正博, 青山 隆史, 松井 慎一, / 江川 孝志, 神保 孝志, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | MOCVD法により、4インチSi基板上へAIGaN/AlN中間層およびGaN/AlN多層膜を介してGaNを成長した。 AlGaN/AIN 中間層膜厚依存性を調べたところ、中間層膜厚の増加と共にGaN表面のピット数が減少し、GaN/AlN多層膜の周期性を改善することがわかった。中間層をAIGaN/AIN(40/8nm)として膜厚1μmのGaNを成長したところ、表面にクラックは全く観察されず、GaNのX線ロッキングカーブ半値幅は800 arcsecという比較的狭い値が得られた。さらにAlGaN/GaNヘテロ構造を成長し、室温下でホール効果測定を行ったところ、シートキャリア密度1.1～1.4×10^<13>cm^<-2>、移動度900～1080 cm^2/V・s という高い値が得られた。さらにこの試料を用いて高電子移動度トランジスター(HEMT)を作製した。試作した4インチSi基板上AlGaN/GaN HEMT (ゲート長2μm)の特性を評価したところ、最大相互コンダクタンスg_ |
| 抄録(英) | We investigated the crystal growth of GaN on 4 inch Si substrate with a AlGaN/AlN intermediate layer by MOCVD. Both the density of pits and full-width at half-maximum (FWHM) value of the X-ray rocking curve (XRC, ω mode, GaN (0004)) decreased with increasing the thickness of AlGaN/AlN intermediate layer. No pits and crack were observed on the substrate with the AlGaN/AlN (40/8nm) intermediate layer. The FWHM of XRC for the 1-μm-thick GaN was 800 arcsec. AlGaN/GaN hetero-structures were also grown on 4-inch Si substrates. Room temperature Hall measurements exhibited sheet carrier density of 1.1～1.4×10^<13>cm^<-2> and electron mobilities of 900～1080 cm^2/V・s. The AlGaN/GaN HEMT on 4inch-Si substrate showed maximum extrinsic transconductance 142 mS/mm and drain-source current 395 mA/mm for a gate length 2 μm. |
| キーワード(和) | 4インチ / Si基板 / GaN / AlGaN-GaN / MOCVD / 高電子移動度トランジスター(HEMT) |
| キーワード(英) | 4-inch / Si substrate / GaN / AlGaN-GaN / MOCVD / two dimentional electron gas (2DEG) / HEMT |
| 資料番号 | ED2003-149,CPM2003-119,LQE2003-67 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
|---|---|
| 開催期間 | 2003/9/26(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | MOCVD法による4インチSi基板上GaN及びAlGaN/GaNヘテロ構造の結晶成長(窒化物及び混晶半導体デバイス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | MOCVD growth of GaN films and AlGaN/GaN hetero-structures on 4 inch Si substrates |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 4インチ / 4-inch |
| キーワード(2)（和/英） | Si基板 / Si substrate |
| キーワード(3)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(4)（和/英） | AlGaN-GaN / AlGaN-GaN |
| キーワード(5)（和/英） | MOCVD / MOCVD |
| キーワード(6)（和/英） | 高電子移動度トランジスター(HEMT) / two dimentional electron gas (2DEG) |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 石川 博康 / Hiroyasu ISHIKAWA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 極微デバイス機能システム研究センター Research Center for Nano-Device and System, Nagoya Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 加藤 正博 / Masahiro KATO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 極微デバイス機能システム研究センター Research Center for Nano-Device and System, Nagoya Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 青山 隆史 / Takashi AOYAMA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 極微デバイス機能システム研究センター Research Center for Nano-Device and System, Nagoya Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 松井 慎一 / Shinichi MATSUI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 極微デバイス機能システム研究センター Research Center for Nano-Device and System, Nagoya Institute of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | / 江川 孝志 / Maosheng HAO |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 極微デバイス機能システム研究センター Research Center for Nano-Device and System, Nagoya Institute of Technology |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 神保 孝志 / Takashi EGAWA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 極微デバイス機能システム研究センター Research Center for Nano-Device and System, Nagoya Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2003/9/26 |
| 資料番号 | ED2003-149,CPM2003-119,LQE2003-67 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 344 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |