| 講演名 | 2003/9/26 Al_<0.5>Ga_<0.5>Nショットキー型紫外線受光素子の作製と受光感度特性(窒化物及び混晶半導体デバイス) 安川 浩範, 木田 喜啓, 石賀 章, 柴田 泰宏, 元垣内 敦司, 三宅 秀人, 平松 和政, 大内 洋一郎, 只友 一行, 濱村 寛, 福井 一俊, |
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| 抄録(和) | サファイア上のエピタキシャルAlN基板を用いて、減圧MOVPE法によりAl_<0.5>Ga_<0.5>Nショットキー型紫外線受光素子を作製し、その電気的、光学的特性の評価を行った。 Al_<0.5>Ga_<0.5>Nのバンドギャップに相当する260nm(4.7eV)での立ち上がりがみられた。 ArFに対応する波長193nmでの単位面積当たりの受光感度は、GaN受光素子の16倍と真空紫外領域に高い受光感度があることが確認された。またi-AlGaN層を挿入することにより、暗電流が3桁低減し、受光感度は向上した。以上のことから、高Al組成Al_<0.5>Ga_<0.5>Nショットキー型紫外線受光素子は真空紫外領域での受光に有用である。 |
| 抄録(英) | The Schottky UV photodetectors were fabricated using a Al_<0.5>Ga_<0.5>N epilayer grown on epitaxial AlN film on sapphire by LP-MOVPE, and their electrical and optical properties were characterized. Responsivity had risen up sharply for 260nm (4.7eV) corresponding with a bandgap of Al_<0.5>Ga_<0.5>N. The responsivity of AlGaN photodetector per unit area at193nm (ArF) increased 16 times compared with that of GaN photodetector and we found that it had high responsivity in the vacuum ultraviolet (VUV) region. While, by inserting i-AlGaN layer between Schottky contact and n-AlGaN layer, dark current was decreased of 3 orders of magnitude and the responsivity had been improved. From these results, we confirmed that the Schottky UV photodetector based on Al_<0.5>Ga_<0.5>N epilayer is useful for detection in VUV region. |
| キーワード(和) | AlGaN / 紫外線受光素子 / AlN / ショットキー接触 |
| キーワード(英) | AlGaN / UV detector / AlN / Schottky contact |
| 資料番号 | ED2003-147,CPM2003-117,LQE2003-65 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2003/9/26(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Al_<0.5>Ga_<0.5>Nショットキー型紫外線受光素子の作製と受光感度特性(窒化物及び混晶半導体デバイス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of Schottky UV photodetector based on Al_<0.5>Ga_<0.5>N and its spectral responsivity |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(2)（和/英） | 紫外線受光素子 / UV detector |
| キーワード(3)（和/英） | AlN / AlN |
| キーワード(4)（和/英） | ショットキー接触 / Schottky contact |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 安川 浩範 / Hironori Yasukawa |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三重大学工学部 Mie University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 木田 喜啓 / Yoshihiro Kida |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三重大学工学部 Mie University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 石賀 章 / Akira Ishiga |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三重大学工学部 Mie University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 柴田 泰宏 / Yasuhiro Shibata |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三重大学工学部 Mie University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 元垣内 敦司 / Atsushi Motogaito |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 三重大学工学部 Mie University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 三宅 秀人 / Hideto Miyake |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 三重大学工学部 Mie University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 平松 和政 / Kazumasa Hiramatsu |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 三重大学工学部 Mie University |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 大内 洋一郎 / Youichiro Ohuchi |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 三菱電線工業株式会社フォトニクス研究所 Mitsubishi Cable Industries LTD. |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 只友 一行 / Kazuyuki Tadatomo |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 三菱電線工業株式会社フォトニクス研究所 Mitsubishi Cable Industries LTD. |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 濱村 寛 / Yutaka Hamamura |
| 第 10 著者 所属（和/英） | 株式会社ニコン精機カンパニー Nikon Corporation |
| 第 11 著者 氏名（和/英） | 福井 一俊 / Kazutoshi Fukui |
| 第 11 著者 所属（和/英） | 福井大学遠赤外領域開発研究センター Fukui University |
| 発表年月日 | 2003/9/26 |
| 資料番号 | ED2003-147,CPM2003-117,LQE2003-65 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 344 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |