講演名 2003/9/25
窒化物半導体垂直微小共振器LEDの作製と青色面発光レーザへの展望(窒化物及び混晶半導体デバイス)
有田 宗貴, 西岡 政雄, 荒川 泰彦,
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抄録(和) 窒化物半導体面発光レーザの実現を目指して、InGaN垂直微小共振器型LEDの試作・評価を行った。成長条件を精密に制御することによって、ノンドープDBRと同等の高い反射率を有するn型DBRを得ることができた。さらに、クラックの発生を抑制しつつ従来型DBRと同等の反射率を有する超格子DBRの作製にも成功した。p型電極としてはITOを用い、共振器への効果的な正孔注入を実現した。作製した垂直微小共振器型InGaN LED構造の発光スペクトルやその放射角特性から、明瞭な微小共振器効果が現れていることを確認した。また、窒化物DBRの高反射率化を進め、99%の反射率を有する窒化物DBRを得ることができた。短波長面発光レーザヘの応用が期待される。
抄録(英) InGaN vertical microcavity light emitting diodes (LEDs) have been fabricated and characterized. Electrically conductive nitride n-type distributed Bragg reflectors (DBRs) with high reflectivity can be obtained by controlling growth conditions precisely. Furthermore, AlGaN/GaN superlattice-based DBRs in which cracking is suppressed have been successfully grown. Reflectivity of the superlattice DBRs were revealed to be as high as those of conventional DBRs. Effective hole current injection into the microacvity was realized by using indium-tin-oxide (ITO) as a p-type contact material. Microcavity effects were clearly observed in optical characteristics of the microcavity LEDs. At present, we have also achieved to grow nitride DBRs with higher reflectivity up to 99%, with which realization of blue-violet vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs) can be expected.
キーワード(和) GaN / AlGaN / 分布ブラッグ反射鏡 / 微小共振器 / LED / ITO / 面発光レーザ
キーワード(英) GaN / AlGaN / DBR / microcavity / LED / ITO / VCSEL
資料番号 ED2003-143,CPM2003-113,LQE2003-61
発行日

研究会情報
研究会 CPM
開催期間 2003/9/25(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Component Parts and Materials (CPM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 窒化物半導体垂直微小共振器LEDの作製と青色面発光レーザへの展望(窒化物及び混晶半導体デバイス)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Fabrication of Nitride Semiconductor Vertical Microcavity LEDs and Prospects for Blue-Violet Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) GaN / GaN
キーワード(2)(和/英) AlGaN / AlGaN
キーワード(3)(和/英) 分布ブラッグ反射鏡 / DBR
キーワード(4)(和/英) 微小共振器 / microcavity
キーワード(5)(和/英) LED / LED
キーワード(6)(和/英) ITO / ITO
キーワード(7)(和/英) 面発光レーザ / VCSEL
第 1 著者 氏名(和/英) 有田 宗貴 / Munetaka ARITA
第 1 著者 所属(和/英) 東京大学先端科学技術研究センター
Research Center for Advanced Science and Technology, University of Tokyo
第 2 著者 氏名(和/英) 西岡 政雄 / Masao NISHIOKA
第 2 著者 所属(和/英) 東京大学生産技術研究所
Institute of Industrial Science, University of Tokyo
第 3 著者 氏名(和/英) 荒川 泰彦 / Yasuhiko ARAKAWA
第 3 著者 所属(和/英) 東京大学先端科学技術研究センター:東京大学生産技術研究所
Research Center for Advanced Science and Technology, University of Tokyo:Institute of Industrial Science, University of Tokyo
発表年月日 2003/9/25
資料番号 ED2003-143,CPM2003-113,LQE2003-61
巻番号(vol) vol.103
号番号(no) 343
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日