| 講演名 | 2003/9/25 近紫外LEDの開発(窒化物及び混晶半導体デバイス) 酒井 浩光, 安田 剛規, 友澤 秀喜, 奥山 峰夫, |
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| 抄録(和) | MOCVD法によりサファイア基板上に低温バッファ層を用いた近紫外LEDの作製を行った。フリップチップ型に実装し、エポキシ樹脂によりモールドした砲弾型のLEDランプにおいて20mA導通時に波長409nm、出力21.3mW、外部量子効率35%が得られた。一方、低温バッファ法に代わる新規成長技術として初期成長核形成(Seeding Process;SP)法を検討した。SP法により作製したGaN層のX線ロッキングカーブの半値幅は低温バッファ法を用いたGaNと同等の値であり、結晶性は良好であった。 SP法GaN上にLEDを作製した結果、波長409nm、出力20.4mW、外部量子効率34%と低温バッファ層上LEDと遜色なく、低温バッファを用いなくとも高効率LEDが得られた。 |
| 抄録(英) | We fabricated near Ultra-Violet LED (UV-LED) on a sapphire substrate by MOCVD using the low temperature buffer process. When the near UV-LED was operated at a forward-bias current of 20mA at room temperature, the emission wavelength, the output power and external quantum efficiency were estimated to be 409nm, 21.3mW and 35%, respectively. These low temperature buffer process results were compared to our new seeding process (SP) approach for the fabrication of near UV-LED, which when operated at a forward-bias current of 20mA at room temperature, emitted at wavelength of 409nm, with an output power and external quantum efficiency of 20.4mW and 34%, respectively. |
| キーワード(和) | 近紫外LED / 初期成長核形成(Seeding Process;SP)法 |
| キーワード(英) | near Ultra-Violet LED / Seeding Process |
| 資料番号 | ED2003-136,CPM2003-106,LQE2003-54 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2003/9/25(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 近紫外LEDの開発(窒化物及び混晶半導体デバイス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Development of near Ultra-Violet LED |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 近紫外LED / near Ultra-Violet LED |
| キーワード(2)（和/英） | 初期成長核形成(Seeding Process;SP)法 / Seeding Process |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 酒井 浩光 / Hiromitsu SAKAI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 昭和電工株式会社 研究開発センター Corporate R&D Center, Showa Denko K. K. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 安田 剛規 / Takaki YASUDA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 昭和電工株式会社 研究開発センター Corporate R&D Center, Showa Denko K. K. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 友澤 秀喜 / Hideki TOMOZAWA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 昭和電工株式会社 研究開発センター Corporate R&D Center, Showa Denko K. K. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 奥山 峰夫 / Mineo OKUYAMA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 昭和電工株式会社 研究開発センター Corporate R&D Center, Showa Denko K. K. |
| 発表年月日 | 2003/9/25 |
| 資料番号 | ED2003-136,CPM2003-106,LQE2003-54 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 343 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |