| 講演名 | 2003/7/25 極薄TiHfNバリヤを用いたCu/TiHfN/Siコンタクトの熱的安定性(電子部品・材料, 及び一般) 武山 真弓, 小杉 努, 五十嵐 準一, 野矢 厚, |
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| 抄録(和) | Cu/Siコンタクトにおいて適用し得る極薄バリヤの候補として、低抵抗な材料であるTiNとHfNとを複合化したTiHfN薄膜を作製し、そのバリヤ特性を基礎的に検討した。その結果、TiHfN薄膜は、3元系窒化物バリヤとしては比較的低い抵抗率を示し、かつnmオーダーまで連続膜として極薄化が可能であることがわかった。これは、TiNとHfNが共にNaCl構造を有し、その格子定数も近いことから、これらを組み合わせた場合に擬似的な単一構造をとる傾向にあることがその要因であると思われる。一方、Cu/Si間の拡散バリヤとしたTiHfN膜は、10nm程度まで極薄化した場合にも500℃程度の熱処理に耐え得るコンタクトを実現できることが明らかとなり、極薄バリヤとして基本的には有用な特性を有しているものと推察された。 |
| 抄録(英) | A TiHfN barrier with -10 nm in thickness for Cu/Si contact was preliminary examined. The TiHfN barrier was a combination of TiN and HfN with low resistive materials and in the same NaCl structure randomly substituting cation sites with Ti and Hf atoms, and the resistivity was relatively low among reported ternary nitride barriers. The Cu/TiHfN(10nm)/Si contact tolerated annealing at temperatures up to 500 ℃ or higher without interracial reaction. It was revealed that the TiHfN barrier showed fundamentally effective barrier properties as a very thin barrier in Cu metallization. It was also revealed that further examinations to evaluate the suitable composition of the ternary nitride were required to realize the best barrier properties. |
| キーワード(和) | Si-ULSI / Cu配線 / 拡散バリヤ / 窒化物 |
| キーワード(英) | Si-ULSI / Cu metallization / iffusion barrier / nitride |
| 資料番号 | CPM2003-66 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2003/7/25(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 極薄TiHfNバリヤを用いたCu/TiHfN/Siコンタクトの熱的安定性(電子部品・材料, 及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Thermal stability of Cu/TiHfN/Si contact system using thin TiHfN barrier |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Si-ULSI / Si-ULSI |
| キーワード(2)（和/英） | Cu配線 / Cu metallization |
| キーワード(3)（和/英） | 拡散バリヤ / iffusion barrier |
| キーワード(4)（和/英） | 窒化物 / nitride |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 武山 真弓 / Mayumi B. Takeyama |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北見工業大学電気電子工学科 Dept. Electrical and Electronic Engineering, Kitami Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 小杉 努 / Tsutomu Kosugi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北見工業大学電気電子工学科 Dept. Electrical and Electronic Engineering, Kitami Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 五十嵐 準一 / Zun'ichi Igarashi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 北見工業大学電気電子工学科:(現)(株)アルプス技研 Dept. Electrical and Electronic Engineering, Kitami Institute of Technology:(Present address)Altech Co. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 野矢 厚 / Atsushi Noya |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 北見工業大学電気電子工学科 Dept. Electrical and Electronic Engineering, Kitami Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2003/7/25 |
| 資料番号 | CPM2003-66 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 245 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |