| 講演名 | 2003/7/25 ULSIプロセス用薄膜の分光エリプソメトリ : 遷移金属窒化物バリア層の光学的性質(電子部品・材料, 及び一般) , /, 山口 十六夫, 武山 真弓, 野矢 厚, |
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| 抄録(和) | 次世代ULSIにとって、low-k材料薄膜やCu配慮からの拡散防止膜は不可欠である。本報告は、遷移金属窒化物拡散防止膜の分光エリプソメトリによる評価に関するものである。反応性スパッタリングで作製されたTiN/SiO_2/Si、TaN_x/SiO_2、VN/Siを調べた。幾つかの異なった基板温度で堆積したTaN_x及びVNの膜厚は充分厚いので、バルク表面とみなして解析した。ローレンツ・ドルーデの誘電率の式で計測スペクトルに最適化させた。VNとTiNの光学的性質は金属的な振舞いをしたが、TaN_xの場合、特に低い基板温度で堆積させた膜の光学的振舞いは、自由電子的振舞いが少なかった。 |
| 抄録(英) | Low-k materials for interlayer dielectrics and diffusion barrier layers for Cu metallization seems to be inevitable in the further ULSI process. The present report is focused on the study of transition metal nitride barrier layers especially to the spectro-ellipsometoric evaluation of these materials. The studied samples were reactively sputtered Titaniun Nitride (TiN/SiO_2/Si), Tantalum Nitride (TaN_x/SiO_2) and Vanadium Nitride (VN/Si). VN layer and several TaN_x layers with different deposition temperatures (200-400℃) were prepared optically thick. Lorentz-Drude parameterization of dielectric function of thin TiN films were determined by simultaneous fitting of ellipsometric and optical reflectivity spectra. VN and TiN optical constants show strong metallic character whereas TaN_x dielectric functions depending on the substrate temperature present featureless free electron behavior for low substrate temperature. |
| キーワード(和) | 拡散防止バリア層 / 遷移金属窒化物 / 分光エリプソメトリ / ULSI |
| キーワード(英) | barrier layers / transition metal nitrides / spectroscopic ellipsometry / ULSI circuits |
| 資料番号 | CPM2003-65 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2003/7/25(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | ULSIプロセス用薄膜の分光エリプソメトリ : 遷移金属窒化物バリア層の光学的性質(電子部品・材料, 及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Spectro-ellipsometric study of thin films for ULSI process : Optical properties of transition metal nitride barrier layers |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 拡散防止バリア層 / barrier layers |
| キーワード(2)（和/英） | 遷移金属窒化物 / transition metal nitrides |
| キーワード(3)（和/英） | 分光エリプソメトリ / spectroscopic ellipsometry |
| キーワード(4)（和/英） | ULSI / ULSI circuits |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Jan MISTRIK |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | / / Kamil POSTAVA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 山口 十六夫 / Roman ANTOS |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 武山 真弓 / Tomuo YAMAGUCHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 野矢 厚 / Mayumi TAKEYAMA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 北見工業大学 Department of Electrical and Electronic Engineering, Kitami Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2003/7/25 |
| 資料番号 | CPM2003-65 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 245 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |