講演名 2003/1/10
ナノ構造制御によるLa-Mg-Ni系新規合金の開発
河野 龍興,
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抄録(和) 水素吸蔵合金を負極材料とするニッケル-水素二次電池において,現行の希土類系ベースであるLaNi_5型合金を使用した場合には容量的に限界に達しつつあり,これ以上の高容量化は望めない状況である.電池の更なる高容量化のためには新規合金の開発が必須となっている.そこで高容量の新規合金を探るべく,La-Mg-Ni系に着目した.その結果,化学量論組成で新たな結晶構造を有する3種の新合金La_2MgNi_9,La_5Mg_2Ni_<23>,La_3MgNi_<14>を見出すことに成功した.これら3種の合金系は現行合金よりも優れた水素吸蔵特性を示し,特にLa_5Mg_2Ni_<23>系においては放電容量が410mAh/gと現行合金の1.3倍の容量を示すことがわかった.これらの合金での結晶構造はAB_5ユニットとAB_2ユニットの積層により構成される超格子構造を有することも明らかとなった.
抄録(英) The capacity of nickel-hydride battery using LaNi_5 system alloy is approaching its limits, because the repeated improvements to increase the discharge capacity have realized very high utilization of the intrinsic capacity. The hydrogen storage properties of the new ternary La-Mg-Ni system alloys, La_2MgNi_9, La_5Mg_2Ni_<23>, La_3MgNi_<14>, were investigated. As a result, the negative electrode of the La_5Mg_2Ni_<23> alloy showed a large discharge capacity (410 mAh/g), 1.3 times larger than that of LaNi_5 system alloys. These La-Mg-Ni system alloys were found to be mainly composed by stacked AB_5 and AB_2 structure subunits in a superstructure arrangement. This alloy electrode was an effective way to improve the charge-discharge capability of the negative electrode.
キーワード(和) 水素吸蔵合金 / 超格子構造 / ニッケル水素電池 / La-Mg-Ni系
キーワード(英) Hydrogen Storage Alloy / Superstructure / Nickel Hydride Battery / La-Mg-Ni System
資料番号 CPM2002-133
発行日

研究会情報
研究会 CPM
開催期間 2003/1/10(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Component Parts and Materials (CPM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) ナノ構造制御によるLa-Mg-Ni系新規合金の開発
サブタイトル(和)
タイトル(英) Development of New La-Mg-Ni System alloys by Nano Structural Control
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 水素吸蔵合金 / Hydrogen Storage Alloy
キーワード(2)(和/英) 超格子構造 / Superstructure
キーワード(3)(和/英) ニッケル水素電池 / Nickel Hydride Battery
キーワード(4)(和/英) La-Mg-Ni系 / La-Mg-Ni System
第 1 著者 氏名(和/英) 河野 龍興 / Tatsuoki KOHNO
第 1 著者 所属(和/英) (株)東芝研究開発センター給電材料・デバイスラボラトリー
Power Supply Materials & Devices Laboratory, Corporate Research & Development Center, Toshiba Corporation
発表年月日 2003/1/10
資料番号 CPM2002-133
巻番号(vol) vol.102
号番号(no) 568
ページ範囲 pp.-
ページ数 5
発行日