| 講演名 | 2002/10/4 KOH 水溶液を用いた電気化学的手法による 6H-SiC の微細加工の試み 加藤 正史, 市村 正也, 荒井 英輔, |
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| 抄録(和) | n型6H-SiCバルク結晶をKOH水溶液に浸し,陽極として作用させる電気化学的手法によりエッチングを行った.KOH濃度,温度,電流密度等のエッチング時の条件によって,表面の荒れとエッチングレートが変化した.最も表面荒れの少なく,ある程度のエッチングレートが得られる条件を用いて,6H-SiCの微細加工を試みた.このときニッケルをマスク材料として用い,紫外光照射しながらエッチングを行った.その結果,未だ問題点はあるものの,微細なパターンの形成に成功した. |
| 抄録(英) | Commercially available n-type 6H-SiC bulk crystals were etched by an electrochemical method using aqueous KOH solutions. Etching conditions, such as KOH concentration, temperature and current density were varied. Etched surface morphologies and etching rates depended on the etching conditions. In order to fabricate patterned structures on 6H-SiC surfaces, we used Ni metal as a mask material using an etching condition which is able to get the flattest etched surface with a reasonable etching rate. As a result, although there are some problems, the patterned structure was obtained. |
| キーワード(和) | 6H-SiC / 電気化学 / KOH / エッチング / 微細加工 |
| キーワード(英) | 6H-SiC / electrochemical method / KOH / etching / patterned structure |
| 資料番号 | CPM2002-111 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2002/10/4(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | KOH 水溶液を用いた電気化学的手法による 6H-SiC の微細加工の試み |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Application of an electrochemical method with aqueous KOH solutions for fabrication of 6H-SiC patterned structures |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 6H-SiC / 6H-SiC |
| キーワード(2)（和/英） | 電気化学 / electrochemical method |
| キーワード(3)（和/英） | KOH / KOH |
| キーワード(4)（和/英） | エッチング / etching |
| キーワード(5)（和/英） | 微細加工 / patterned structure |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 加藤 正史 / Masashi KATO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Dept. of Electrical and Computer Eng., Nagoya Inst. of Tech |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 市村 正也 / Masaya ICHIMURA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Dept. of Electrical and Computer Eng., Nagoya Inst. of Tech |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 荒井 英輔 / Eisuke ARAI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Dept. of Electrical and Computer Eng., Nagoya Inst. of Tech |
| 発表年月日 | 2002/10/4 |
| 資料番号 | CPM2002-111 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 366 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |