| 講演名 | 2002/10/4 第一原理計算によるGaInAsNおよびGaAsSbNの物性比較 瀧澤 俊幸, ハリス ジェームスS, |
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| 抄録(和) | 第一原理的手法を用いて,GaInAsNおよびGaAsSbNのInおよびSb原子に起因する結晶性および電子構造について調べた.GaInAsN中に存在するIn原子とN原子との近接効果は大きく,結晶構造の変形や窒素局在準位の大きな変動を引き起こす.特にこの効果は最近接配置となるIn_x-Nクラスタにおいて顕著である.一方,GaAsSbN内におけるSb原子とN原子による近接効果は非常に小さいことがわかった.以上より,GaAsSbNのようなIII-V-V'-N型半導体は,GaInAsNといったIII-III'-V-N型半導体に比べて結晶性および電子構造において優位であり,またGaInAsNへのSb添加はGaInAsN材料の安定化に有効であると考えられる. |
| 抄録(英) | Using first-principles supercell calculations, we investigate crystalline and electronic structures of GaInAsN and GaAsSbN alloys and find their fundamental differences due to In and Sb atoms. The neighboring effect of In atoms, especially In_x-N clusters in GaInAsN, cause strong crystal deformation and considerably effect the N localized energy levels, whereas deformation induced by Sb atoms in GaAsSbN is very small compared with that of GaInAsN. We conclude that III-V-V'-N type alloys, such as GaAsSbN, will be superior to III-III'-V-N alloys, like GaInAsN, and that the addition of Sb into GaInAsN will be effective for the stabilization of GaInAsN properties. |
| キーワード(和) | 第一原理計算 / III-V-N半導体 / GaInAsN / 光通信 |
| キーワード(英) | first principles calculation / III-V-nitride semiconductors / GaInAsN / optical communication |
| 資料番号 | CPM2002-110 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2002/10/4(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 第一原理計算によるGaInAsNおよびGaAsSbNの物性比較 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Comparison between GaInAsN and GaAsSbN using first-principles method |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 第一原理計算 / first principles calculation |
| キーワード(2)（和/英） | III-V-N半導体 / III-V-nitride semiconductors |
| キーワード(3)（和/英） | GaInAsN / GaInAsN |
| キーワード(4)（和/英） | 光通信 / optical communication |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 瀧澤 俊幸 / Toshiyuki TAKIZAWA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株)半導体デバイス研究センター:Department of Electrical Engineering,Stanford University Semiconductor Device Research Center, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Department of Electrical Engineering, Stanford University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | ハリス ジェームスS / James S Harris |
| 第 2 著者 所属（和/英） | Department of Electrical Engineering,Stanford University Department of Electrical Engineering, Stanford University |
| 発表年月日 | 2002/10/4 |
| 資料番号 | CPM2002-110 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 366 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |