| 講演名 | 2002/10/4 メタモルフィック InAlAs/InGaAs HEMTsの電気的特性評価 川田 健二, 大野 雄高, 岸本 茂, 前澤 宏一, 水谷 孝, 高草木 操, 中田 弘章, |
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| 抄録(和) | メタモルフィック InAlAs/InGaAs HEMTs(MHEMTs)をGaAs基板上に作製し,このMHEMTsの電気的特性,特に低周波雑音特性とサイドゲート効果について,InP HEMTsとpseudomorphic HEMTs(PHEMTs)との比較を行った.その結果,MHEMTsが他のデバイスよりも優れた特性を示した.また,MHEMTsについて高周波特性を測定したところ,電流利得遮断周波数(f_T)はゲート長0.1μmにおいて210GHzであった. |
| 抄録(英) | Metamorphic In_0.52Al_0.48As/In_0.53Ga_0.47As high electron mobility transistors (MHEMTs) were fabricated on GaAs substrates. A step graded InAlAs buffer layer was used to relax the lattice mismatch between the active layers and the substrates. The electrical characteristics of the MHEMTs were compared with those of HEMTs on InP substrates (InP HEMTs) and pseudomorphic HEMTs (PHEMTs). Present MHEMTs have exhibited superior characteristics in low-frequency (LF) noise and side-gate effect to InP HEMTs and PHEMTs. Sufficiently high current-gain cut-off-frequency of 210 GHz has been obtained for the MHEMTs with gate length of 0.1 μm. |
| キーワード(和) | MHEMTs / メタモルフィック / ステツプグレーディッドバッファ / 低周波雑音特性 / サイドゲート効果 / 電流利得遮断周波数 |
| キーワード(英) | MHEMTs / metamorphic / step-graded buffer / low-frequency noise / side-gate effect / current-gain cut-off-frequency |
| 資料番号 | CPM2002-109 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2002/10/4(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | メタモルフィック InAlAs/InGaAs HEMTsの電気的特性評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Evaluation of electrical characteristics of InAlAs/InGaAs metamorphic HEMTs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | MHEMTs / MHEMTs |
| キーワード(2)（和/英） | メタモルフィック / metamorphic |
| キーワード(3)（和/英） | ステツプグレーディッドバッファ / step-graded buffer |
| キーワード(4)（和/英） | 低周波雑音特性 / low-frequency noise |
| キーワード(5)（和/英） | サイドゲート効果 / side-gate effect |
| キーワード(6)（和/英） | 電流利得遮断周波数 / current-gain cut-off-frequency |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 川田 健二 / Kenji Kawada |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋大学量子工学 Dept. of Quantum Eng., Nagoya Univ |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 大野 雄高 / Yutaka Ohno |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋大学量子工学 Dept. of Quantum Eng., Nagoya Univ |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 岸本 茂 / Shigeru Kishimoto |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋大学量子工学 Dept. of Quantum Eng., Nagoya Univ |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 前澤 宏一 / Kouichi Maezawa |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋大学量子工学 Dept. of Quantum Eng., Nagoya Univ |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 水谷 孝 / Takashi Mizutani |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名古屋大学量子工学 Dept. of Quantum Eng., Nagoya Univ |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 高草木 操 / Misao Takakusaki |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 日鉱マテリアルズ戸田プラント Toda Plant, Nikko Materials |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 中田 弘章 / Hirofumi Nakata |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 日鉱マテリアルズ戸田プラント Toda Plant, Nikko Materials |
| 発表年月日 | 2002/10/4 |
| 資料番号 | CPM2002-109 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 366 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |