| 講演名 | 2002/10/4 ホール障壁除去によるInP HEMTのg_d周波数分散の抑制 荒井 知之, 澤田 憲, 岡本 直哉, 牧山 剛三, 高橋 剛, 原 直紀, |
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| 抄録(和) | InP HEMTでは、インパクトイオン化に起因したドレインコンダクタンス(g_d)の周波数分散やキンク現象がみられるため,これらの現象の物理メカニズムの解明と抑制を行った.今回,キャップ層を除去し,ソース,ドレイン電極にアロイオーミック電極を用いたプレーナ構造のデバイスを作製した.その結果,g_d周波数分散が25%に、キンクが50%に大幅に抑制された.これは,アロイオーミック電極を用いることでチャネルと供給層界面のホール障壁が除去され,インパクトイオン化により生じたホールのチャネル中における蓄積左抑制したためであると考えられる. |
| 抄録(英) | We propose new planar type InP-based HEMTs, which significantly suppress frequency dispersion of drain conductance(g_d)and kink phenomena. These phenomena appear to be caused by hole accumulation at the extrinsic source due to impact ionization in the channel. The planar structure eliminated hole barrier at the carrier-supply layer/channel interface by adopting alloyed ohmic contacts to suppress hole accumulation. Therefore, the planar structure suppressed g_d frequency dispersion to 25 %, and kink phenomena to 50 % compared with conventional structure HEMTs. |
| キーワード(和) | InP / HEMT / ドレインコンダクタンス / 周波数分散 / キンク / ホール障壁 |
| キーワード(英) | InP / HEMT / drain conductance / frequency dispersion / kink / hole barrier |
| 資料番号 | CPM2002-108 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2002/10/4(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ホール障壁除去によるInP HEMTのg_d周波数分散の抑制 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Suppression of Drain Conductance in InP-based HEMTs by Eliminating Hole Accumulation |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InP / InP |
| キーワード(2)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(3)（和/英） | ドレインコンダクタンス / drain conductance |
| キーワード(4)（和/英） | 周波数分散 / frequency dispersion |
| キーワード(5)（和/英） | キンク / kink |
| キーワード(6)（和/英） | ホール障壁 / hole barrier |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 荒井 知之 / Tomoyuki ARAI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 澤田 憲 / Ken SAWADA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 岡本 直哉 / Naoya OKAMOTO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 牧山 剛三 / Kozo MAKIYAMA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 高橋 剛 / Tsuyoshi TAKAHASHI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 原 直紀 / Naoki HARA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 発表年月日 | 2002/10/4 |
| 資料番号 | CPM2002-108 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 366 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |