| 講演名 | 2002/10/4 InAlPをキャリア供給層に用いたHEMT構造の成長 横山 春喜, 杉山 弘樹, 小田 康裕, 小林 隆, |
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| 抄録(和) | 従来、HEMTのキャリア供給層材料にはInAlAsが用いられている.InAlAsをキャリア供給層に用いたHEMTをアニールし熱安定性を評価した結果,移動度が600℃以上の熱処理により低下することが分かった.SIMS分析結果からこの移動度低下はデルタドーピングされたSiが熱拡散することにより起きていることが判明した.また,Siの熱拡散を抑制する材料としてIn(Al)Pを提案,その拡散定数がInAlAsと比較して約二桁小さいことを明らかにした.さらに,In(Al)Pをキャリア供給層に応用したHEMT構造を作製,as-grownの移動度の向上,および,アニールによる移動度の変動抑制によりSiの熱拡散抑制の効果を確認した. |
| 抄録(英) | InAlAs is used as a carrier supply layer in the conventional HEMT structure. When the thermal stability of HEMT was examined by the annealing experiments,the mobility decreased at the annealing temperature of more than 600℃. From SIMS analysis, it was found that the thermal diffusion of delta-doped Si resulted in this decrease. We proposed In(Al)P for suppression of Si diffusion and clarified that its diffusion constant was two order of magnitude lower than that of InAlAs. The suppression effect of Si diffusion on HEMT with an In(Al)P carrier supply layer was confirmed by the increase of mobility and improvement of annealing characteristics. |
| キーワード(和) | InP / HEMT / InAlP / 拡散 / 移動度 |
| キーワード(英) | InP / HEMT / InAlP / diffusion / mobility |
| 資料番号 | CPM2002-107 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2002/10/4(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | InAlPをキャリア供給層に用いたHEMT構造の成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth of HEMT Structure with InAlP Carrier Supply Layer |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InP / InP |
| キーワード(2)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(3)（和/英） | InAlP / InAlP |
| キーワード(4)（和/英） | 拡散 / diffusion |
| キーワード(5)（和/英） | 移動度 / mobility |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 横山 春喜 / Haruki YOKOYAMA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 杉山 弘樹 / Hiroki SUGIYAMA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 小田 康裕 / Yasuhiro ODA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 小林 隆 / Takashi KOBAYASHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories |
| 発表年月日 | 2002/10/4 |
| 資料番号 | CPM2002-107 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 366 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |