| 講演名 | 2002/10/4 低温MBE成長TlGaAsにおけるエピタキシャル限界膜厚の組成依存性 小林 信裕, 西本 尚己, 梶川 靖友, 大谷 義和, 北野 保行, |
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| 抄録(和) | (001)GaAs基板上にTlGaAsを低温MBE成長させた.成長した試料をエッチング液につけてTlGaAs成長層を徐々に除去し,その都度X線回折測定して成長層による同折強度の変化を調べた.この変化のしかたより,TlGaAs成長層のうち,表面側は多結晶もしくはアモルファス,基板側は単結晶であることがわかった.また,X線回折ロッキングカーブのシミュレーションソフトを用い,測定結果をフィッテングして単結晶成長膜厚(エピタキシャル限界膜厚)を推定した.その結果,Tl_x,Ga_l-xへAsのエピタキシャル限界膜厚はTl組成xとともに急激に減少し,x=1.8%では0.2μmあったのが,x=7%では25mmになることがわかった.このロッキングカーブシミュレーションから推定したエピタキシャル膜厚は断面TEM像で観察した単結晶成長膜厚と一致することが確認された. |
| 抄録(英) | TlGaAs layers have been grown on (001)GaAs substrates by low-temperature molecular beam epitaxy. We repeated altemation of short-time etching and X-ray diffraction (XRD) measurement on the TlGaAs grown layer From the change in strength of the epi-layer peak, it was found that the substrate side of the TlGaAs grown layer is single crystalline while the surface side is polycrystalline or amorphous. We used software to analyze rocking curves for the purpose of fitting the epitaxial rocking curves. From the fitted results, we estimated epitaxial thickness at which single crystal growth is replaced by poly-crystalline growth. It was found that the epitaxial thickness of Tl_xGa_1-xAs drastically decreases with increase in Tl content x. From the cross-sectional TEM observation, it has been confirmed that the epitaxial thickness estimated by the rocking-curve simulation agrees well with that observed by the cross-sectional TEM. |
| キーワード(和) | TlGaAs / 低温MBE / エピタキシャル限界膜厚 / X線回折 / ロッキングカーブシミュレーション / 断面TEM |
| キーワード(英) | TlGaAs / low-temperature MBE / epitaxial thickness / XRD / rocking-cinve simulation / cross-sectional TEM |
| 資料番号 | CPM2002-106 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2002/10/4(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 低温MBE成長TlGaAsにおけるエピタキシャル限界膜厚の組成依存性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | The effect of Tl content on epitaxial thickness of TlGaAs grown by low-temperature molecular beam epitaxy |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | TlGaAs / TlGaAs |
| キーワード(2)（和/英） | 低温MBE / low-temperature MBE |
| キーワード(3)（和/英） | エピタキシャル限界膜厚 / epitaxial thickness |
| キーワード(4)（和/英） | X線回折 / XRD |
| キーワード(5)（和/英） | ロッキングカーブシミュレーション / rocking-cinve simulation |
| キーワード(6)（和/英） | 断面TEM / cross-sectional TEM |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 小林 信裕 / Nobuhiro KOBAYASHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 島根大学総合理工学部 Interdisciplinary Faculty of Science and Engineering, Shimane University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 西本 尚己 / Naoki NISHIMOTO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 島根大学総合理工学部 Interdisciplinary Faculty of Science and Engineering, Shimane University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 梶川 靖友 / Yasutomo KAJIKAWA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 島根大学総合理工学部 Interdisciplinary Faculty of Science and Engineering, Shimane University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 大谷 義和 / Yoshikazu OHTANI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 島根大学総合理工学部 Interdisciplinary Faculty of Science and Engineering, Shimane University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 北野 保行 / Yasuyuki KITANO |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 島根大学総合理工学部 Interdisciplinary Faculty of Science and Engineering, Shimane University |
| 発表年月日 | 2002/10/4 |
| 資料番号 | CPM2002-106 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 366 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |