| 講演名 | 2002/10/3 オープンゲートFETによるAlGaN/GaN HEMT構造の表面準位測定 菊田 大悟, 敖 金平, 大野 泰夫, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | AlGaN/GaN HEMTのパッシベーション膜と半導体界面の特性を調べるために、チャネル上のゲート金属部を一部除外したオープンゲートFETを用いて開口部の界面特性を評価した。ソース・ドレイン間に0.1Vの電圧を印加し、ゲート電圧をOVから-8Vまで変化させ、そのときのドレイン電流を測定した。パッシベーション膜のないFETではゲート電圧を変化させてもカットオフしないが、SiO_2膜をつけたFETでは金属ゲートがあるかのように電流が変化した。また2つのゲート電極に異なる電圧を印加すると、チャネル電流は低い電圧のゲートで規定された。これらの実験結果からSiO_2とAlGaN界面との界面準位について推定した。 |
| 抄録(英) | Interface properties between passivation films and semiconductor on AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) was investigated with open-gate field effect transistor (FET) in which a part of the gate metal is removed. Channel conductivity was measured changing the gate voltage which electrodes are placed along the channel edges. FET without passivation film showed no cutoff while FET with SiO_2 passivation film showed a similar variation as those conventional metal gate FET. Applying different voltages on the two electrodes on each side of the channel, the conductivity is almost determined by the lower voltage electrode. Using these results, interface states properties are investigated. |
| キーワード(和) | AlGaN/GaN HEMT / パッシベーション膜 / 界面 / オープンゲートFET / 界面準位 |
| キーワード(英) | AlGaN/GaN HEMT / passivation / interface / open-gate FET / interface-state |
| 資料番号 | CPM2002-101 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
|---|---|
| 開催期間 | 2002/10/3(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | オープンゲートFETによるAlGaN/GaN HEMT構造の表面準位測定 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Measurement of Surface-States in AlGaN/GaN HEMT with Open-Gate FET |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN/GaN HEMT / AlGaN/GaN HEMT |
| キーワード(2)（和/英） | パッシベーション膜 / passivation |
| キーワード(3)（和/英） | 界面 / interface |
| キーワード(4)（和/英） | オープンゲートFET / open-gate FET |
| キーワード(5)（和/英） | 界面準位 / interface-state |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 菊田 大悟 / Daigo KIKUTA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 徳島大学工学部 Department of Electrical and Electronic Engineering, The University of Tokushima |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 敖 金平 / Jin-Ping AO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 徳島大学SVBL Satellite Venture Business Laboratory, The University of Tokushima |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 大野 泰夫 / Yasuo OHNO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 徳島大学工学部 Department of Electrical and Electronic Engineering, The University of Tokushima |
| 発表年月日 | 2002/10/3 |
| 資料番号 | CPM2002-101 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 365 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |