| 講演名 | 2004-07-15 PLD法によるサファイア基板上YBa_2Cu_3O_7薄膜の成膜(材料・一般) 齊藤 和夫, 山本 浩之, 長谷川 晴弘, 越智 久晃, 岡田 道哉, 北口 仁, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | PLD(Pulsed Laser Deposition)法を用いてサファイア基板上にYBa_2Cu_3O_7(YBCO)薄膜を成膜した.R面サファイア基板上にバッファ層としてCeO_2を形成した後,in situで連続してYBCOを成膜した.X線回折(XRD)測定からCeO_2は(100)配向,YBCOはc軸配向であることを確認した.電気特性測定から典型的な超電導臨界温度T_c=85K,超電導臨界電流密度J_c=1×10^7A/cm^2(@4.2K)を得,良好な超電導特性を得た.YBCO1ターンコイルを形成してインダクタ(L)-キャパシタ(C)共振回路を作製し,共振特性のQ値(quality factor)からYBCOの特性を評価した. |
| 抄録(英) | We deposited the YBa_2Cu_3O_7 (YBCO) thin films on sapphire substrates using the PLD (pulsed laser deposition) method. The R-sapphire substrate and the CeO_2 buffer layer were utilized in the fabrication. By using the X-ray diffraction measurements, the optimum condition for fabricating the (100) oriented CeO_2 thin film and c-axis oriented YBCO thin film were examined. The typical critical temperature of T_c=85K and critical current density of J_c=1×10^7A/cm^2 (@4.2K) were obtained. We fabricated the LC resonant circuit by forming the YBCO 1-turn coil, and estimated the characteristic of the YBCO thin film from its quality factor measurement. |
| キーワード(和) | PLD / YBa_2Cu_3O_7 / サファイア / CeO_2 |
| キーワード(英) | PLD / Ba_2Cu_3O_7 / sapphire / CeO_2 |
| 資料番号 | SCE2004-17 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SCE |
|---|---|
| 開催期間 | 2004/7/8(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Superconductive Electronics (SCE) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | PLD法によるサファイア基板上YBa_2Cu_3O_7薄膜の成膜(材料・一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Deposition of YBa_2Cu_3O_7 thin films on sapphire substrates using the PLD method |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | PLD / PLD |
| キーワード(2)（和/英） | YBa_2Cu_3O_7 / Ba_2Cu_3O_7 |
| キーワード(3)（和/英） | サファイア / sapphire |
| キーワード(4)（和/英） | CeO_2 / CeO_2 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 齊藤 和夫 / Kazuo Saitoh |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所基礎研究所 Advanced Research Laboratory, Hitachi Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 山本 浩之 / Hiroyuki Yamamoto |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所基礎研究所 Advanced Research Laboratory, Hitachi Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 長谷川 晴弘 / Haruhiro Hasegawa |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所基礎研究所 Advanced Research Laboratory, Hitachi Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 越智 久晃 / Hisaaki Ochi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 岡田 道哉 / Michiya Okada |
| 第 5 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所材料研究所 Materials Research Laboratory, Hitachi Ltd. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 北口 仁 / Hitoshi Kitaguchi |
| 第 6 著者 所属（和/英） | (独)物質・材料研究機構超伝導材料研究センター Superconducting Materials Center, National Institute for Materials Science |
| 発表年月日 | 2004-07-15 |
| 資料番号 | SCE2004-17 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 180 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |