| 講演名 | 2003/10/10 高温超伝導薄膜銅線への磁束侵入とSOUIDのノイズ特性(エレクトロニクス) 川口 洋平, 栗城 眞也, 植杉 克弘, 徳本 洋志, 三上 春樹, 松田 端史, |
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| 抄録(和) | 直結型高温超伝導SOUIDの遮蔽電流によって生じるノイズを調べるために、YBCO薄膜銅線に電流を印加し低周波磁束ノイズを測定した。印加電流によって銅線で磁束クリープや磁束フローが起こった後に生じる残留ノイズに加え、印加電流を除去した後に元の値に戻る可逆的なノイズも測定した。可逆的なノイズが生じる印加電流同値は銅線部で磁束クリープないし磁束フローが起こる同値より低く、銅線部の作製方法によって変化した。これら二つのノイズの低周波ノイズの発生原因について、磁束侵入と超伝導薄膜のピニングに関するモデルに基づいて考察した。 |
| 抄録(英) | In order to study the intrinsic noise in direct-coupled high-Tc SQUIDs induced by a shielding current, we measured the low-frequency flux noise of a narrow current-carrying YBCO strip. In addition to the residual noise after the strip became flux-creep to -flow state by the current, reversible noise was observed during the application of current but disappeared when the current was removed. The threshold current for the reversible noise was lower than that for the flux-creep, being depend on the fabrication process of the strip. The sources of the two types of low-frequency flux noise were discussed on the bases of existing models of vortex penetration into and pinning in a superconducting thin-film.. |
| キーワード(和) | SOUID / 磁束侵入 / 磁束ノイズ / 高温超伝導薄膜 |
| キーワード(英) | SQUID / Flux Penetration / Flux Noise / High-Tc Superconducting Film |
| 資料番号 | SCE2003-22 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SCE |
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| 開催期間 | 2003/10/10(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Superconductive Electronics (SCE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 高温超伝導薄膜銅線への磁束侵入とSOUIDのノイズ特性(エレクトロニクス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Flux Penetration into a Narrow Strip of High-Tc Superconducting Film and the Flux Noise of a SQUID |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | SOUID / SQUID |
| キーワード(2)（和/英） | 磁束侵入 / Flux Penetration |
| キーワード(3)（和/英） | 磁束ノイズ / Flux Noise |
| キーワード(4)（和/英） | 高温超伝導薄膜 / High-Tc Superconducting Film |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 川口 洋平 / Youhei KAWAGUCHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北海道大学電子科学研究所 Research Institute for Electronic Science, Hokkaido University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 栗城 眞也 / Shinya KURIKI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北海道大学電子科学研究所 Research Institute for Electronic Science, Hokkaido University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 植杉 克弘 / Katsuhiro UESUGI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 北海道大学電子科学研究所 Research Institute for Electronic Science, Hokkaido University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 徳本 洋志 / Hiroshi TOKUMOTO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 北海道大学電子科学研究所 Research Institute for Electronic Science, Hokkaido University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 三上 春樹 / Haruki MIKAMI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 室蘭工業大学工学部 Muroran Institute of Technology, |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 松田 端史 / Mizushi MATUDA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 室蘭工業大学工学部 Muroran Institute of Technology, |
| 発表年月日 | 2003/10/10 |
| 資料番号 | SCE2003-22 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 367 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |