| 講演名 | 2003/10/10 NbN系,Nb系,及びBi-2212系トンネル接合の低周波ノイズ特性(エレクトロニクス) 石田 弘樹, 斉藤 敦, 岡上 久美, 川上 彰, 王 鎮, 入江 晃亘, 大矢 銀一郎, 濱崎 勝義, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | NbN系,Nb系トンネル接合及び,Bi-2212固有トンネル接合の低周波ノイズ特性の比較を行った.ギャップ電圧以上にバイアスした各種接合の1/fノイズパラメータηを比較したところNb接合とBi-2212固有接合は,ほぼ同程度であり.NbN接合は,それらよりも3桁程度高かった.また,Nb及び,NbN接合におけるηのAndreev反射確率A(E)依存性,logη &vprop: aA(E)^<-1> / exp(bA(E)^<-1> -1)のスケーリング則に従った.また,すべての接合においてギャップ電圧以下では,余剰な1/fノイズが観測された.余剰ノイズのピーク位置は,サブギャップ構造のdV/dIディップ位置に対応していた.このことから,余剰ノイズの発生は,Andreev反射現象に起因したものであると考えられる. |
| 抄録(英) | 1/f noise properties in Nb, NbN-based tunnel junctions and Bi-2212 intrinsic tunnel junctions have been investigated. We found that Nb and NbN-based junctions exhibit η(1/f noise parameter) vs. A(E) (Andreev reflection probability) curve scales approximately as log η &vprop: aA(E)^<-1> / exp(bA(E)^<-1> -1). We also observed excess 1/fnoise in sub-gap voltage region for all type junctions. We suggest that the excess 1/fnoise arises from the Andreev reflection phenomena. |
| キーワード(和) | Nb, NbNトンネル接合 / Bi-2212固有接合 / 1/fノイズ / Andreev反射 |
| キーワード(英) | Nb, NbN tunnel junction / Bi-2212 intrinsic junction / 1/f noise / Andreev reflection |
| 資料番号 | SCE2003-21 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SCE |
|---|---|
| 開催期間 | 2003/10/10(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Superconductive Electronics (SCE) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | NbN系,Nb系,及びBi-2212系トンネル接合の低周波ノイズ特性(エレクトロニクス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Low-frequency noise properties of NbN, Nb and Bi-2212-based tunnel junctions |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Nb, NbNトンネル接合 / Nb, NbN tunnel junction |
| キーワード(2)（和/英） | Bi-2212固有接合 / Bi-2212 intrinsic junction |
| キーワード(3)（和/英） | 1/fノイズ / 1/f noise |
| キーワード(4)（和/英） | Andreev反射 / Andreev reflection |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 石田 弘樹 / H. Ishida |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学工学部電気系 Department of Engineering, Nagaoka University of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 斉藤 敦 / A. Saito |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 山形大学工学部 Department of Engineering, Yamagata University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 岡上 久美 / K. Okanoue |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学工学部電気系 Department of Engineering, Nagaoka University of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 川上 彰 / A. Kawakami |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 独立法人通信総合研究所関西先端研究センター超伝導研究室 KARC Communications Research Laboratory |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 王 鎮 / Z. Wang |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 独立法人通信総合研究所関西先端研究センター超伝導研究室 KARC Communications Research Laboratory |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 入江 晃亘 / A. Irie |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 宇都宮大学工学部 Department of Engineering, Utsunomiya University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 大矢 銀一郎 / G. Oya |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 宇都宮大学工学部 Department of Engineering, Utsunomiya University |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 濱崎 勝義 / K. Hamasaki |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学工学部電気系 Department of Engineering, Nagaoka University of Technology |
| 発表年月日 | 2003/10/10 |
| 資料番号 | SCE2003-21 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 367 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |