| 講演名 | 2003/10/10 2つの分布定数型トンネル接合を用いたSISミクサ同調回路(エレクトロニクス) 鵜澤 佳徳, 武田 正典, 川上 彰, 王 鎮, |
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| 抄録(和) | 低臨界電流密度のSIS接合を用いて広帯域動作するミクサを実現するため、2つの半波長接合を半波長マイクロストリップ線路で接続した新しい同調回路を提案し、その簡易回路モデルによる設計法を検討した。これに基づき、800 GHz帯全窒化ニオブ準光学ミクサの設計を行い、デバイス作製、性能評価を行った。ミクサは無反射肩付きMgO超半球レンズとツインスロットアンテナの入力光学系から成り、そのアンテナ上に半波長2接合同調目路を集積化した。ヘテロダイン検波による受信機雑音温度測定を行ったところ、電流密度6.7 kA/cm^2のミクサに対し、675-810 GHz において量子雑音(hf/kg)の6-9倍の低雑音特性を示した。この動作帯域は、同じ電流密度を有する従来の全波長接合を用いたミクサよりも広く、提案した分布定数型2接合同調回路の有効性を実証した。 |
| 抄録(英) | A novel broadband tuning circuit composed of two low-current-density half-wave tunnel junctions connected by a half-wave microstrip line has been analytically investigated using a simplified model of the circuit. Based on this analysis, we designed, fabricated and tested an all NbN quasi-optical SIS mixer in the 800 GHz band. The mixer used an MgO hyperhemispherical lens with an anti-reflection layer and a twin-slot antenna. The two half-wave junction tuning circuit was integrated in a center-fed twin-slot antenna. Heterodyne measurements showed double-side-band receiver noise temperatures equivalent to 6-9 quanta from 675 to 810 GHz for a mixer with a current density of 6.7 kA/cm^2. The RF bandwidth wasbroader than that of a conventional mixer using a full-wave junction with the same current density. |
| キーワード(和) | 低臨海電流密度 / 広帯域動作 / 半波長接合 / 同調回路 / 窒化ニオブ |
| キーワード(英) | Low critical current density / Broadband operation / Half-wave junctions / Tuning circuit / Niobium nitride |
| 資料番号 | SCE2003-20 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SCE |
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| 開催期間 | 2003/10/10(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Superconductive Electronics (SCE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 2つの分布定数型トンネル接合を用いたSISミクサ同調回路(エレクトロニクス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Tuning Circuit Using Two Distributed Tunnel Junctions for SIS Mixers |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 低臨海電流密度 / Low critical current density |
| キーワード(2)（和/英） | 広帯域動作 / Broadband operation |
| キーワード(3)（和/英） | 半波長接合 / Half-wave junctions |
| キーワード(4)（和/英） | 同調回路 / Tuning circuit |
| キーワード(5)（和/英） | 窒化ニオブ / Niobium nitride |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 鵜澤 佳徳 / Yoshinori UZAWA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 通信総合研究所関西先端研究センター Kansai Advanced Research Center, Communications Research Laboratory |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 武田 正典 / Masanori TAKEDA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 通信総合研究所関西先端研究センター Kansai Advanced Research Center, Communications Research Laboratory |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 川上 彰 / Akira KAWAKAMI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 通信総合研究所関西先端研究センター Kansai Advanced Research Center, Communications Research Laboratory |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 王 鎮 / Zhen WANG |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 通信総合研究所関西先端研究センター Kansai Advanced Research Center, Communications Research Laboratory |
| 発表年月日 | 2003/10/10 |
| 資料番号 | SCE2003-20 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 367 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |