講演名 | 2003/7/11 液相成長YBCO膜の臨界電流と22GHz表面抵抗(材料/一般) 鈴木 克己, 野村 克己, 榎本 陽一, 和泉 輝夫, 平林 泉, |
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抄録(和) | MgO(100)基板の上に液相成長により形成されたYB_2C_3O_<7-σ>(YBCO)薄膜の臨界電流特性評価を行った。基板から離れた表面領域のみの電界電流特性評価を行ったことに本報告の特徴がある。従来、薄膜の臨界電流は一般にバルクの場合よりも大きな臨界電流密度を得ていたが、その原因は基板による何らかの影響によるピンニング効果と考えられていた。本報告では表面側から深さ1ミクロン程度の領域のみを酸素アニールし、基板の影響をなるべく少ない領域の臨界電流密度を測定した。X線回折と22GHzマイクロ波表面抵抗のデータも合わせて報告する。その結果、11ミクロン膜厚の液相成長膜の表面領域における臨界電流密度は液体窒素温度で平方センチあたり10の6乗台の大きな値であることが分った。 |
抄録(英) | Critical current densities (Jc) of YB_2C_3O_<7-σ> (YBCO) films grown on MgO(100) substrates by liquid phase epitaxy (LPE) were examined. A feature of this report is that the Jc characteristic evaluation only of the surface region away from the substrate was carried out. Generally and until now, the Jc of a thin film has got large critical current density than the case of the bulk. It was considered that the cause was the some pinning effects by the substrate. Only one-micron depth of surface side region was annealed in the oxygen. Then the Jc, X-ray diffractio (XDR) and 22GHz microwave surface resistance (Rs) of the film were measured. The results showed that the Jc of the YBCO LPE film was a large value of 10^6A/cm^2 at 77K. |
キーワード(和) | 酸化物超伝導 / YBCO薄膜 / マイクロ波表面抵抗 / 臨界電流密度 / 液相成長 |
キーワード(英) | HTS / YBCO / liquid phase epitaxy / microwave surface resistance / critical current density |
資料番号 | SCE2003-18 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | SCE |
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開催期間 | 2003/7/11(から1日開催) |
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幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Superconductive Electronics (SCE) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | 液相成長YBCO膜の臨界電流と22GHz表面抵抗(材料/一般) |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Critical Current Density and 22GHz Surface Resistance of YBCO Liquid Phase Epitaxy Fillm |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | 酸化物超伝導 / HTS |
キーワード(2)(和/英) | YBCO薄膜 / YBCO |
キーワード(3)(和/英) | マイクロ波表面抵抗 / liquid phase epitaxy |
キーワード(4)(和/英) | 臨界電流密度 / microwave surface resistance |
キーワード(5)(和/英) | 液相成長 / critical current density |
第 1 著者 氏名(和/英) | 鈴木 克己 / K. Suzuki |
第 1 著者 所属(和/英) | 超伝導工学研究所 Superconductivity Research Laboratory, ISTEC |
第 2 著者 氏名(和/英) | 野村 克己 / K. Nomura |
第 2 著者 所属(和/英) | 日立電線(株) Hitachi Cable, Ltd. |
第 3 著者 氏名(和/英) | 榎本 陽一 / Y. Enomoto |
第 3 著者 所属(和/英) | NTTアドバンステクノロジー(株) NTT Advanced Technology Corporation |
第 4 著者 氏名(和/英) | 和泉 輝夫 / T. Izumi |
第 4 著者 所属(和/英) | 超伝導工学研究所 Superconductivity Research Laboratory, ISTEC |
第 5 著者 氏名(和/英) | 平林 泉 / I. Hirabayashi |
第 5 著者 所属(和/英) | 超伝導工学研究所 Superconductivity Research Laboratory, ISTEC |
発表年月日 | 2003/7/11 |
資料番号 | SCE2003-18 |
巻番号(vol) | vol.103 |
号番号(no) | 211 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 5 |
発行日 |