講演名 2003/7/11
集束イオンビームを用いたYBCO薄膜の超伝導性制御(材料/一般)
松田 瑞史, 高橋 篤司, 栗城 眞也,
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抄録(和) 集束イオンビーム(Focused Ion Beam : FIB)を直接照射,または照射後に臭素溶液を用いたケミカルエッチングを併用することにより,YBCO薄膜の特定の部位の超伝導性を深さ方向に制御する加工法を試みた.種々の加速電圧を用いて試料にFIBを照射した結果,YBCO薄膜中に形成される格子欠陥(ダメージ)層の深さは加速電圧の大きさで制御でき,その深さ以下の深部のYBCOの超伝導性は良好であることがわかった.このダメージ層は臭素エッチング液に対する溶解度が大きいため,これを利用してこの部分のみを除去することが可能である.また,YBCO薄膜上に堆積したAu層を通してイオンビームを照射することにより,より制御性よくダメージ層の厚みをコントロールできることがわかった.
抄録(英) We developed techniques to control superconductivity of YBCO films in the depth directions. In this method, a nonsuperconducting layer was made at a surface of YBCO by the ion irradiatio with a low acceleration voltage of focused ion beam (FIB). A typical dose density of 20-40 kV Si^<++> FIB was 10^<13>-10^<14> ions/cm^2. Thickness of a damaged layer by a ion irradiation could be evaluated by ion bombardment enhanced etching process using Br solution diluted by ethanol because such a region formed by the ion bombardment is selectively dissolved and removed away almost completely in the etchant. Depth of the damaged layer depends on the aceleration voltage of FIB. We also compared the critical current values of virgin YBCO bridges with those of line-dosed bridges to evaluate the thickness of nonsuperconducting layer formed. It was found no degradation of superconducting properties was caused at the films left under the penetration depth of irradiations. The irradiation through a buffer layer of Au upon an YBCO film was found to be effective to decrease the thickness of nonsuperconductive YBCO layer.
キーワード(和) 集束イオンビーム / YBCO薄膜 / イオン照射 / ダメージ層 / 金緩衝層 / 超伝導層厚制御
キーワード(英) Focused in beam / YBCO films / ion irradiation / damaged layer / Au buffer / control of superconductivity
資料番号 SCE2003-16
発行日

研究会情報
研究会 SCE
開催期間 2003/7/11(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Superconductive Electronics (SCE)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 集束イオンビームを用いたYBCO薄膜の超伝導性制御(材料/一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Modification of superconductivity for YBCO films by ion bombardment process
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 集束イオンビーム / Focused in beam
キーワード(2)(和/英) YBCO薄膜 / YBCO films
キーワード(3)(和/英) イオン照射 / ion irradiation
キーワード(4)(和/英) ダメージ層 / damaged layer
キーワード(5)(和/英) 金緩衝層 / Au buffer
キーワード(6)(和/英) 超伝導層厚制御 / control of superconductivity
第 1 著者 氏名(和/英) 松田 瑞史 / Mizushi MATSUDA
第 1 著者 所属(和/英) 室蘭工業大学電気電子工学科
Muroran Institute of Technology
第 2 著者 氏名(和/英) 高橋 篤司 / Atsushi TAKAHASHI
第 2 著者 所属(和/英) 北海道大学電子科学研究科
Research Institute for Electronic Science, Hokkaido Univ.
第 3 著者 氏名(和/英) 栗城 眞也 / Shinya KURIKI
第 3 著者 所属(和/英) 北海道大学電子科学研究科
Research Institute for Electronic Science, Hokkaido Univ.
発表年月日 2003/7/11
資料番号 SCE2003-16
巻番号(vol) vol.103
号番号(no) 211
ページ範囲 pp.-
ページ数 4
発行日