| 講演名 | 2003/4/16 位相補償形MOSFET可変減衰器を用いた広ダイナミックレンジ低雑音増幅器(マイクロ波超伝導/一般) 蔭山 千恵美, 谷口 英司, 前田 憲一, 生島 貴之, 末松 憲治, |
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| 抄録(和) | 移動通信端末の受信機の広ダイナミックレンジ化を実現する手法の一つとして,RFフロントエンド部に可変減衰器を用いる方法がある。しかし従来のMOSFETπ形可変減衰器では,FETの寄生容量及びグランドヘのポンデイングワイヤのインダクタンスの影響により,利得切替時に位相差が生じてしまうという問題がある。ここでは,利得切替時の位相差を補償用容量を用いて小さくする位相補償形MOSFET可変減衰器を提案する。 SiGe-BiCMOSプロセスを用い,1.5GHz帯低雑音増幅器と組み合わせて試作を行った。この結果,利得切替量20dB,通過位相差0.5°の良好な性能を得た。 |
| 抄録(英) | There is a method of using variable attenuator in RF front-end section as one of techniques which realize wide dynamic range for mobile wireless terminal applications. However a conventional MOSFET πnetwork variable attenuator cause phase shift due to the parasitic effects of FET and grounded wires when the state of gain is changed. ln this paper, a low phase shift MOSFET attenuator is proposed which can cancel out the phase shift by compensation capacitors. RF front-end IC having an LNA and the proposed MOSFET attenuator was fabricated in SiGe-BiCMOS process. In 1.5HGz-band, it performed the phase shift of 0.5deg with 20dB attenuation range. |
| キーワード(和) | マイクロ波 / 偶高調波ミクサ / ダイレクトコンバータ / SiGe-MMIC |
| キーワード(英) | Microwave frequency / Even harmonic mixer / Direct converter / SiGe-MMIC |
| 資料番号 | SCE2003-10,MW2003-10 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SCE |
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| 開催期間 | 2003/4/16(から1日開催) |
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| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Superconductive Electronics (SCE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 位相補償形MOSFET可変減衰器を用いた広ダイナミックレンジ低雑音増幅器(マイクロ波超伝導/一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Wide Dynamic Range Low Noise Amplifier with a Low Phase Shift MOSFET Attenuator |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | マイクロ波 / Microwave frequency |
| キーワード(2)（和/英） | 偶高調波ミクサ / Even harmonic mixer |
| キーワード(3)（和/英） | ダイレクトコンバータ / Direct converter |
| キーワード(4)（和/英） | SiGe-MMIC / SiGe-MMIC |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 蔭山 千恵美 / Chiemi KAGEYAMA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)情報技術総合研究所 Information Technology R&D Center,Mitsubishi Electric Corp. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 谷口 英司 / Eiji TANIGUCHI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)情報技術総合研究所 Information Technology R&D Center,Mitsubishi Electric Corp. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 前田 憲一 / Kenichi MAEDA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)情報技術総合研究所 Information Technology R&D Center,Mitsubishi Electric Corp. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 生島 貴之 / Takayuki IKUSHIMA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)情報技術総合研究所 Information Technology R&D Center,Mitsubishi Electric Corp. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 末松 憲治 / Noriharu SUEMATSU |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)情報技術総合研究所 Information Technology R&D Center,Mitsubishi Electric Corp. |
| 発表年月日 | 2003/4/16 |
| 資料番号 | SCE2003-10,MW2003-10 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 20 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |