| 講演名 | 2003/1/22 全YBaCuO積層型接合を用いたSQUIDゲート 中島 勉, 佐藤 弘, 藤本 英司, 宝川 幸司, 赤穗 博司, |
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| 抄録(和) | 高温超伝導SFQ回路の基本ゲートである2接合SQUIDゲートの基本特性を明らかにすることを目的とし、その設計・試作を行った。SQUIDゲートは、c軸配向YBaCuO積層型接合、CeO_2層間絶縁膜、及びYBaCuO配線層を用いて作製した。構造は縦型とし、配線層をコントロールラインに用いた直結型とした。4.2Kから70Kにおいて、コントロール電流の変化に対応した明瞭なしきい値特性が得られた。また、しきい値特性から見積もられたインダクタンスは、設計パラメータで説明できた。以上より、作製したSQUIDゲートは、70Kまでの回路に適応できる可能性があることがわかった。 |
| 抄録(英) | We report a demonstration of high-temperature superconducting (HTS) superconducting quantum interface devices (SQUID) gates using all YBa_2Cu_3O_<7-d> (YBaCuO) trilayer junctions. Two-junction SQUID gates, which were basic gates of the SFQ logic gates, were fabricated to study basic characteristics. The devices consist of all c-axis oriented YBaCuO/PrBaCuO/YBaCuO trilayer junctions, epitaxial CeO_2 insulator layers, and YBaCuO wiring layers. The fabricated gates exhibited the clear threshold characteristics at temperatures ranging from 4.2 K to 70 K. The estimated sheet inductance was in good agreement with a design value. This indicates that the SQUID gate can be used as a circuit element at below 70 K. |
| キーワード(和) | 全YBaCuO積層型接合 / SQUIDゲート / しきい値特性 / インダクタンス |
| キーワード(英) | All YBaCuO trilayer junctions / SQUID gate / Threshold characteristic / Inductance |
| 資料番号 | SCE2002-37 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SCE |
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| 開催期間 | 2003/1/22(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Superconductive Electronics (SCE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 全YBaCuO積層型接合を用いたSQUIDゲート |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | SQUID gates using all YBaCuO trilayer junctions |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 全YBaCuO積層型接合 / All YBaCuO trilayer junctions |
| キーワード(2)（和/英） | SQUIDゲート / SQUID gate |
| キーワード(3)（和/英） | しきい値特性 / Threshold characteristic |
| キーワード(4)（和/英） | インダクタンス / Inductance |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中島 勉 / Tsutomu NAKAJIMA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 神奈川工科大学 Kanagawa Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 佐藤 弘 / Hiroshi SATO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所強相関電子技術研究センター Correlated Electron Research Center(CERC),National Institute of Advanced Industrial Science and Technology(AIST) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 藤本 英司 / Eiji FUJIMOTO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所強相関電子技術研究センター Correlated Electron Research Center(CERC),National Institute of Advanced Industrial Science and Technology(AIST) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 宝川 幸司 / Kohji HOHKAWA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 神奈川工科大学 Kanagawa Institute of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 赤穗 博司 / Hiroshi AKOH |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所強相関電子技術研究センター Correlated Electron Research Center(CERC),National Institute of Advanced Industrial Science and Technology(AIST) |
| 発表年月日 | 2003/1/22 |
| 資料番号 | SCE2002-37 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 612 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |