| 講演名 | 2003/12/12 ストレスマイグレーションの温度特性に関する理論解析 青柳 稔, |
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| 抄録(和) | ストレスマイグレーションは、半導体デバイスに使用される金属配線の信頼性の課題の一つである。この現象は、金属配線にボイドや断線を発生させる。本論文ではストレスマイグレーションモデルを示し、その現象の温度特性を理論的に明らかにするものである。先ず、ストレスマイグレーションに起因する空孔の振る舞いについての理論モデルを示した。次に、このモデルをボイド形成と断線の温度特性解析に適用させた。最後に、この理論解析の結果を実験結果と比較した。その結果、ストレスマイグレーションの温度特性は、ボイド間隔とボイドの大きさにより変化することが明らかになった。また、提案したストレスマイグレーションモデルは、実験結果を定性的に説明できることが明らかになった。 |
| 抄録(英) | Stress-induced migration phenomenon causes voids and disconnections in metal interconnections in semiconductor devices during high-temperature storage. This phenomenon is one of the problems related to the reliability of interconnections. The purpose of this work is to theoretically clarify the temperature characteristic of stress-induced migration. First, we present the theoretical model for the vacancy behavior due to stress-induced migration. Next, the theoretical model is applied to void formation and disconnection to confirm its validity. Finally, the results of the theoretical analysis are compared with the experimental results of high-temperature storage. We find that the temperature characteristics of void formation change depending on the void interval, and those of disconnection change depending on the void interval and the void radius. The presented model can qualitatively explain the temperature characteristics of the interconnection lifetime. |
| キーワード(和) | ストレスマイグレーション / 応力 / 拡散 / 信頼性 / 半導体 |
| キーワード(英) | Stress-Induced Migration / Stress / diffusion / Reliability / Semiconductor |
| 資料番号 | R2003-53,SSS2003-28(2003-12) |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SSS |
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| 開催期間 | 2003/12/12(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Safety (SSS) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ストレスマイグレーションの温度特性に関する理論解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Temperature characteristics of stress-induced migration |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ストレスマイグレーション / Stress-Induced Migration |
| キーワード(2)（和/英） | 応力 / Stress |
| キーワード(3)（和/英） | 拡散 / diffusion |
| キーワード(4)（和/英） | 信頼性 / Reliability |
| キーワード(5)（和/英） | 半導体 / Semiconductor |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 青柳 稔 / Minoru AOYAGI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日本工業大学電気電子工学科 Department of Electrical & Electronics Engineering, Nippon Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2003/12/12 |
| 資料番号 | R2003-53,SSS2003-28(2003-12) |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 530 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |