| 講演名 | 2004/1/23 GaN/AlN超格子におけるISBT吸収係数のキャリア濃度依存性(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,集積光回路,半導体光導波路素子,PLC,ファイバ型デバイス,導波路解析,その他) 石井 洋平, 森田 高行, 松井 聡, / 菊池 昭彦, 岸野 克巳, |
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| 抄録(和) | GaN/AlN窒化物半導体における量子準位間遷移(Intersubband Transition: ISBT)は、光ファイバー通信波長帯への適応が可能であり、数百フェムト秒という超高速吸収緩和特性を有することから次世代の超高速光デバイスへの応用が期待されている。本研究では、分子線エピタキシー法によりサファイア基板上に成長したGaN/AlN超格子結晶にSiO_2ストライプを付加したリブ導波路においてISBT吸収の偏波依存性を観測した。また、キャリア濃度1x10^<18>～3x10^<20>cm^<-3>という広い範囲において、光通信波長帯である1.55μm付近でのISBT吸収係数のキャリア濃度依存性を測定した。導波路デバイス設計上の重要なパラメータである自由キャリア吸収係数のキャリア濃度依存性も測定した。 |
| 抄録(英) | Intersubband transition (ISBT) in GaN/AlN super lattice system is very attractive phenomenon due to ultrafast absorption relaxation (～100fsec) and possibility of application in optical communication wavelength region. In this study, GaN/AlN superlattices were grown by RF-plasma assisted molecular beam epitaxy on (0001) sapphire substrate. By use of SiO_2 rib-waveguide structure, light polarization dependency of ISBT was observed. The ISBT absorption coefficient was systematically evaluated for wide carrier concentration range from 1x10^<18> to 3x10^<20>cm^<-3>. The free carrier absorption coefficient was also estimated by waveguide measurement. |
| キーワード(和) | 光スイッチ / 窒化物半導体 / サブバンド間遷移 / ISBT吸収 / 自由キャリア吸収 |
| キーワード(英) | optical switch / nitride semiconductor / intersubband transition / ISBT absorption / free carrier absorption |
| 資料番号 | PN2003-84,OFT2003-106,OPE2003-263,LQE2003-200 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OFT |
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| 開催期間 | 2004/1/23(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Optical Fiber Technology (OFT) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | GaN/AlN超格子におけるISBT吸収係数のキャリア濃度依存性(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,集積光回路,半導体光導波路素子,PLC,ファイバ型デバイス,導波路解析,その他) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Carrier concentration dependency of intersubband absorption coefficient of GaN/AlN superlattice |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 光スイッチ / optical switch |
| キーワード(2)（和/英） | 窒化物半導体 / nitride semiconductor |
| キーワード(3)（和/英） | サブバンド間遷移 / intersubband transition |
| キーワード(4)（和/英） | ISBT吸収 / ISBT absorption |
| キーワード(5)（和/英） | 自由キャリア吸収 / free carrier absorption |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 石井 洋平 / Yohei Ishii |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 上智大学理工学部 Faculty of Engineering, Sophia University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 森田 高行 / Takayuki Morita |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 上智大学理工学部 Faculty of Engineering, Sophia University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 松井 聡 / Satoshi Matsui |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 上智大学理工学部 Faculty of Engineering, Sophia University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | / 菊池 昭彦 / Fetter Holmstrom |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 上智大学理工学部 Faculty of Engineering, Sophia University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 岸野 克巳 / Akihiko Kikuchi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 上智大学理工学部 Faculty of Engineering, Sophia University |
| 発表年月日 | 2004/1/23 |
| 資料番号 | PN2003-84,OFT2003-106,OPE2003-263,LQE2003-200 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 615 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |